Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
30.09.2016
-
Размер:
332 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
MK
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Lab№1.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
3. Литература
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
3. Справочники по полупроводниковым диодам.
4. Порядок проведения лабораторной работы
4.1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
3. Литература
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
3. Справочники по полупроводниковым диодам.
4. Порядок проведения лабораторной работы
4.1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Дополнительная информация
Зачет 09.2016
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Экономика природопользования (Контрольная работа №1) В-2
banderas0876
: 9 ноября 2015
№ 2
Определите экономическую оценку трёх участков земли по 10 га каждый, на которых выращивают сельскохозяйственную продукцию. Исходные данные приведены в таблице.
Таблица – Исходные данные
Характеристика участка Урожайность, ц/га Себестоимость, руб./ц Кап. вложения, руб./га
Замыкающий 12 65 3000
Индивидуальный I 25 40 1500
Индивидуальный II 30 20 1800
Индивидуальный III 40 25 2000
№6
Промышленное предприятие в результате выбросов в атмосферу загрязняет окружающие его сельскохозяйственные уго
banderas0876
: 9 ноября 2015
150 руб.
Ответы на вопросы экзамена: Мировая экономика
lyianya
: 4 мая 2016
1. Понятие, общая характеристика, предпосылки и этапы формирования мировой экономики.
2. Характеристика современного этапа формирования мировой экономики. Тенденции и прогнозы развития мировой экономики.
3.Сущность и содержание процесса глобализации мировой экономики.
4. Международное разделение труда (МРТ). Объективные основы формирования и этапы развития.
5.Сущность и формы процесса интернационализации мирового производства.
6.Теории международной торговли и тенденции развития её динамики и ст
lyianya
: 4 мая 2016
100 руб.
Поведение производителей. Производство и издержки производства
Slolka
: 28 октября 2013
1. Мотивы деятельности предприятий и предпринимателей в рыночной экономике
Рынок в широком смысле представляет собой организацию общественного производства, при которой производители товаров, ориентируясь на потребности общества, сами решают, что производить и в каком количестве; как производить эти товары (из каких ресурсов и с помощью какой технологии); для какого потребителя производить - для личного или производственного потребления.
Назначение рынка состоит в том, чтобы обеспечить нормально
Slolka
: 28 октября 2013
20 руб.
Модернизация схемы подготовки газа на установке комплексной подготовки газа УКПГ путем внедрения сепаратора ГС 210-004-текст на Украинском языке-ЧЕРТЕЖИ-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-Графическая часть-Оборудование для добычи и подготовки нефти и га
leha.se92@mail.ru
: 14 июня 2018
Модернизация схемы подготовки газа на установке комплексной подготовки газа УКПГ путем внедрения сепаратора ГС 210-004-текст на Украинском языке-ЧЕРТЕЖИ:
1 Установка комплексной подготовки газа Розумівського ГКР. Схема технологическая (А1)
2 Предлагаемая схема УКПГ для эксплуатации скважин с содержанием в продукции жидкости (А1)
3 Технологическая схема блока трехфазного разделителя (А1)
4 Трехфазный разделитель. Сборочный чертеж (А1)
5 Трехфазный разделитель. Сборочный чертеж, лист 2 (А1)
6 Рама
leha.se92@mail.ru
: 14 июня 2018
924 руб.
