Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
30.09.2016
-
Размер:
332 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
MK
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Lab№1.docx
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
3. Литература
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
3. Справочники по полупроводниковым диодам.
4. Порядок проведения лабораторной работы
4.1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых диодов, выполненных из различных материалов.
2.1.4 Влияние температуры на характеристики и параметры диодов.
2.1.5 Типы полупроводниковых диодов, особенности их устройства, работы и характеристики. Применение.
3. Литература
1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121.
2. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.
3. Справочники по полупроводниковым диодам.
4. Порядок проведения лабораторной работы
4.1. Снятие вольтамперной характеристики при прямом включении германиевого диода марки Д7Ж (рисунок 1.1). Результаты сведены в таблицу 1.1а.
Дополнительная информация
Зачет 09.2016
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
MK
: 27 июня 2016
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
MK
: 27 июня 2016
174 руб.
Другие работы
Автомобильное дело. Шпаргалки
step85
: 28 ноября 2009
Шпоры по Автоделу
Автомобиль состоит из узлов и механизмов, образующих три основные части: шасси, кузов и двигатель
* Шасси автомобиля состоит из трансмиссии и ходовой части и механизмов управления.
*Трансмиссия автомобиля состоит из узлов и агрегатов, передающих крутящий момент' от двигателя к ведущим колесам и изменяющих крутящий момент, частоту оборотов по величине и направлению.
Основными узлами трансмиссии автомобиля являются: сцепление, коробка передач, карданная передача, главная переда
step85
: 28 ноября 2009
Лабораторные работы 1, 2 плюс ответы на тесты
Hermes
: 15 июня 2023
Лабораторная работа №1
1. Цель работы
Цель работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию собственных и дополнительных затуханий в оптических кабелях связи:
- собственных затуханий;
- затуханий в местах соединений оптических волокон;
- затуханий на микроизгибах и макроизгибах;
Лабораторная работа №2
1. Цель работы
Целью работы является проведение компьютерного эксперимента по исследованию влияния составляющих дисперсии на временные параметры передаваемых оптических импу
Hermes
: 15 июня 2023
250 руб.
Современные технологии консультирования родителей в работе психолога
Qiwir
: 13 октября 2013
1. Введение
В отношении консультативной работы психолога с родителями следует отметить, что она строится на особой модели поведения родителей и их взаимодействия со специалистами.
Основной особенностью такой работы является то, что в большинстве случаев психолог сталкивается не просто с несформированным запросом на помощь, а с крайне негативным отношением и к процедуре взаимодействия со специалистом, и отчасти к нему самому. Это является одним из мощнейших факторов желания скрыть от окружающ
Qiwir
: 13 октября 2013
10 руб.
Психологическое воздействие в профессиональной деятельности следователя
evelin
: 11 октября 2013
Введение
Психология - уже не только теоретическая дисциплина, изучающая человека, но и система прикладного знания, позволяющая лицам, работающим с людьми, в том числе сотрудникам правоохранительных органов, совершенствовать эту работу.
Психологическое воздействие получает признание как занимающее особое место в системе психологических знаний и поиске надежных средств и методов управления психическими явлениями. От психологического воздействия требуют не объяснений, а действий, оптимизирующих с
evelin
: 11 октября 2013
5 руб.
