Физические основы электроники, Контрольная работа №1, Семестр №2.Вариант 03.
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Таблица П.А.1
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.12.2016
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.12.2016
Похожие материалы
Физические основы электроники. Лабораторная работа. Вариант №03
Студенткааа
: 16 января 2019
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общ
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03
Студенткааа
: 16 января 2019
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА.
Задача 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03.
Uiktor
: 2 марта 2018
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Для этого:
1) построить линию нагрузки;
2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
3
90 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники
JuliaRass
: 23 января 2011
Вариант 3.
Содержание задач контрольной работы
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники" ВАРИАНТ 03
89370803526
: 18 марта 2020
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0
250 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
Uiktor
: 22 февраля 2018
ЛР№1
Цель работы.
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе.
1. Изучить следующие вопросы курса:
2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых дио
149 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 03
Roma967
: 26 сентября 2015
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
1000 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 1 вариант.
novosibguti
: 19 апреля 2011
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
50 руб.
Другие работы
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Информационные системы и технологии. Вариант №22
IT-STUDHELP
: 26 декабря 2022
Лабораторная работа 1
Цель работы: Изучить теоретические основы структурного подхода к проектированию информационных систем. Освоить принципы построения IDEF0-диаграммы классов в программной среде Ramus Educational.
Задачи:
1. Ознакомиться с теоретическими вопросами структурного подхода к проектированию информационных систем.
2. Изучить диаграмму IDEF0 (Integration Definition for Function Modeling) для предметной области «Гостиница».
3. Построить с помощью программного средства Ramus Educationa
600 руб.
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С4 Рисунок 5 Номер условия 9
Z24
: 7 августа 2026
Для однородной пластины, размеры которой даны в табл. С4, определить положение центра тяжести (рис. С4.0–С4.9).
200 руб.
МТР-2: Формат сигнальных единиц
domicelia
: 27 января 2011
Лабораторная работа №2 Цифровые сети интегрального обслуживания
МТР-2: Формат сигнальных единиц
Выполнение лабораторной работы
1.Какова минимальная длина значащей сигнальной единицы MSU (в байтах)?
2.Введите минимальное значение ППН (FSN) (в десятичной системе счисления)
3.Введите максимальное значение ППН (FSN) (в десятичной системе счисления)
4.Пусть С1С=103. Введите биты CIC, попадающие в поле SLS.
5.Введите максимальное значение ОПН (BSN) (в десятичной системе счисления)
6. Поле SLS -
160 руб.
Охорона праці на зоні то-2
Рики-Тики-Та
: 3 февраля 2019
5 ОХОРОНА ПРАЦІ
5.1 Промислова санітарія
Зона ТО-2, що проектується в даному дипломному проекті, призначена для проведення робіт, пов'язаних з розбиранням - збіркою агрегатів, вузлів і механізмів, їх регулюванням і проведенням випробувань. Технологічний процес включає у себе розбірно-складальні, регулювальні, монтажно-демонтажні, транспортні операції. Для проведення таких робіт на ділянці встановлено таке основне устаткування: підйомник канава, візок для зняття, установки і перевезення коліс ва
20 руб.