Физические основы электроники, Контрольная работа №1, Семестр №2.Вариант 03.

Цена:
100 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon КР1.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
№ вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90

Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8

Дополнительная информация

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 30.12.2016
Физические основы электроники. Лабораторная работа. Вариант №03
Работа №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Работа № 2 Исследование статических характеристик биполярного транзистора Цель работы Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общ
User Студенткааа : 16 января 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60В, сопротивление нагрузки RН=1000 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=250мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы I БМ=150 мкА. Задача 2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3 Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для
User Студенткааа : 16 января 2019
200 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант №03.
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: 1) построить линию нагрузки; 2) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; 3
User Uiktor : 2 марта 2018
90 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине: Физические основы электроники
Вариант 3. Содержание задач контрольной работы Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд
User JuliaRass : 23 января 2011
150 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники" ВАРИАНТ 03
Выбор варианта задания Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б. Варианты заданий для последней цифры пароля. Таблица П.А.1 No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc 3 КТ603А 60 1000 250 150 100 2.25 90 Варианты заданий для предпоследней цифры пароля. Таблица П.А.2 Вариант Тип ПТ UСИ0
User 89370803526 : 18 марта 2020
250 руб.
Физические основы электроники. Лабораторные работы №1,2,3. Вариант №03.
ЛР№1 Цель работы. Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Подготовка к работе. 1. Изучить следующие вопросы курса: 2. Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 3. Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 4. Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых дио
User Uiktor : 22 февраля 2018
149 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 03
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора; в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
User Roma967 : 26 сентября 2015
1000 руб.
promo
Физические основы электроники. Контрольная работа. 2 семестр 1 вариант.
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User novosibguti : 19 апреля 2011
50 руб.
Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Информационные системы и технологии. Вариант №22
Лабораторная работа 1 Цель работы: Изучить теоретические основы структурного подхода к проектированию информационных систем. Освоить принципы построения IDEF0-диаграммы классов в программной среде Ramus Educational. Задачи: 1. Ознакомиться с теоретическими вопросами структурного подхода к проектированию информационных систем. 2. Изучить диаграмму IDEF0 (Integration Definition for Function Modeling) для предметной области «Гостиница». 3. Построить с помощью программного средства Ramus Educationa
User IT-STUDHELP : 26 декабря 2022
600 руб.
promo
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С4 Рисунок 5 Номер условия 9
Для однородной пластины, размеры которой даны в табл. С4, определить положение центра тяжести (рис. С4.0–С4.9).
User Z24 : 7 августа 2026
200 руб.
Теоретическая механика ДВГУПС 2014 Задача С4 Рисунок 5 Номер условия 9
МТР-2: Формат сигнальных единиц
Лабораторная работа №2 Цифровые сети интегрального обслуживания МТР-2: Формат сигнальных единиц Выполнение лабораторной работы 1.Какова минимальная длина значащей сигнальной единицы MSU (в байтах)? 2.Введите минимальное значение ППН (FSN) (в десятичной системе счисления) 3.Введите максимальное значение ППН (FSN) (в десятичной системе счисления) 4.Пусть С1С=103. Введите биты CIC, попадающие в поле SLS. 5.Введите максимальное значение ОПН (BSN) (в десятичной системе счисления) 6. Поле SLS -
User domicelia : 27 января 2011
160 руб.
Охорона праці на зоні то-2
5 ОХОРОНА ПРАЦІ 5.1 Промислова санітарія Зона ТО-2, що проектується в даному дипломному проекті, призначена для проведення робіт, пов'язаних з розбиранням - збіркою агрегатів, вузлів і механізмів, їх регулюванням і проведенням випробувань. Технологічний процес включає у себе розбірно-складальні, регулювальні, монтажно-демонтажні, транспортні операції. Для проведення таких робіт на ділянці встановлено таке основне устаткування: підйомник канава, візок для зняття, установки і перевезення коліс ва
User Рики-Тики-Та : 3 февраля 2019
20 руб.
up Наверх