Лабораторная работа № 1 Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
16.10.2017
-
Размер:
814 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Николай102
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
5634D572-76BE-4044-AA9A-D3AB63F66920.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Целью работы является изучение устройства полупроводникового диода, физические процессы происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Другие работы
Метрология, стандартизация и сертификация в инфокоммуникациях/ Контрольная работа/ Вариант №2/ 2020 г.
artinjeti
: 17 ноября 2019
1.Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n результатов однократных измер......
M i lд ,м D
0 1-5 275,4 2,0
2. При определении вносимого ослабления четырехполюсника необходимо измерить абсолютный уровень мощности рн, отдаваемой генератором с внутренним сопротивлением Rг и ЭДС E в сопротивление нагрузки Rн (рисунок 2.1).
Показание вольтметра UV, В 7,2
Класс точности вольтметра % 2,5
Конечное значение ш
artinjeti
: 17 ноября 2019
100 руб.
Физика. 15 задач
vladslad
: 23 ноября 2018
Задача 1.2
На рис. 1 изображено сечение двух прямолинейных бесконечно длинных проводников с током. Расстояние АС между проводниками равно 20 см, I1 = 10 А, I2 = 30 А. Найдите магнитную индукцию поля, вызванного токами I1 и I2 в точках М1, М2 и М3. Расстояния М1А = 2 см, АМ2 = 4 см и СМ3 = 3 см. Считать, что токи текут в одном направлении.
Задача 1.12
Расстояние между двумя длинными параллельными проводниками 5 см. По проводам текут токи в противоположных направлениях 10 А каждый. Найдите инд
vladslad
: 23 ноября 2018
450 руб.
Особенности депозитарного учета ценных бумаг при залоговых операциях
GnobYTEL
: 25 февраля 2013
Андрей Пучков, заместитель начальника отдела анализа и организации контроля Управления ценных бумаг Московского ГТУ Банка России, канд. экон. наук
Допрос депозитарного учета кредитными организациями залоговых операций с ценными бумагами является одним из самых острых среди проблем, связанных с порядком осуществления депозитарного учета ценных бумаг. Для поиска решения этого вопроса необходимо принимать во внимание различные нюансы, связанные с обращением ценных бумаг, такие как особенности прове
GnobYTEL
: 25 февраля 2013
15 руб.
Международная макроэкономика: движение товаров и факторов производства
DocentMark
: 13 сентября 2013
Введение
1. Внешняя торговля и внешнеторговая политика
1.1. Внешняя торговля в системе международных экономических отношений
1.2. Цели и основные направления внешней политик
2. Нетарифные барьеры внешней торговли
2.1. Количественные ограничения
2.2. Финансовые ограничения
2.3. Прочие формы ограничения внешней торговли
Заключение
Список используемой литературы
Введен
DocentMark
: 13 сентября 2013
