Лабораторная работа № 1 Тема: «Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
16.10.2017
-
Размер:
814 KB
-
Покупок:
0
-
Добавил:
Николай102
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
5634D572-76BE-4044-AA9A-D3AB63F66920.doc
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Целью работы является изучение устройства полупроводникового диода, физические процессы происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Похожие материалы
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
s0nnk
: 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
blur
: 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
beke
: 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом
напра
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
DaemonMag
: 4 февраля 2010
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр
Для данной работу задание одно, вариант не выбирается
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
DaemonMag
: 4 февраля 2010
30 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
MK
: 30 сентября 2016
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковы
MK
: 30 сентября 2016
152 руб.
Другие работы
Кейс. Социология.
pianist12
: 26 января 2016
Кейс 2
Ситуация № 4
Игорь Петров во время обучения в университете женился на Гунаре Самитовой. Родители Гульнары были против этого брака. Они считали, что их дочь должна быть женой только мужчины той же культуры и вероисповедания. Через несколько месяцев их брак распался.
Ситуация рассматривается на основе материалов «Социально-этническая структура общества».
Как должен был решиться вопрос о сохранении брака, какие базовые моменты и отношения можно применить для счастливой семейной жизни.
Ситу
pianist12
: 26 января 2016
100 руб.
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА ПО ТЕМЕ "ВИДЫ" . Вариант 3
Laguz
: 22 сентября 2025
ЗАДАНИЕ
1. Изучить основные положения стандартов Единой системы конструкторской документации (ЕСКД), регламентирующей основные требования к оформлению чертежей (форматы, масштабы, основные надписи и т.д.).
2. Ознакомиться с правилами построения основных видов деталей, их наглядных изображений.
3. Ознакомиться с образцом выполняемого задания.
4. По выбранному варианту выполнить следующее задание:
- построить по представленному аксонометрическому изображению детали чертеж на формате А3. Изо
Laguz
: 22 сентября 2025
100 руб.
Проект использования автобусов ПАЗ-3205 в ПАТП-3 г.Кемерово, переоборудованных для работы на сжиженном нефтяном газе с разработкой тележки для снятия, установки и транспортировки газовых баллонов
proekt-sto
: 28 августа 2022
Данный дипломный проект представляет собой проект использования автобусов ПАТП-3, расположенного в городе Кемерово, на сжиженном нефтяном газе.
Дипломный проект содержит: характеристику предприятия, проектную часть, конструкторскую разработку, расчет технико-экономических показателей, показатели аварийности на предприятии и охрану окружающей среды.
При разработке проекта были использованы нормативные и полученные при эксплуатации показатели.
ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение 6
1. Характеристика п
proekt-sto
: 28 августа 2022
1000 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 4 Вариант 19
Z24
: 29 января 2026
Наружная стена здания сделана из красного кирпича с коэффициентом теплопроводности λ=0,8 Вт/(м·ºС), толщина стены b. Температура воздуха в помещении — t1, наружного — t2.
Определите, пренебрегая лучистым теплообменом, коэффициент теплопередачи, удельную потерю тепла через стенку и температуру обеих поверхностей стенки по заданным коэффициентам теплоотдачи с обеих сторон α1 и α2.
Z24
: 29 января 2026
150 руб.
