Лабораторная работа №1 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Вариант: 11

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.

Рис.1 Схема прямого включения

1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)

Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б


Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8


Таблица 1.1б – диод Д220
Uпр, В 0 0,574 0,610 0,633 0,645 0,660 0,670 0,681 0,691
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5 6 7 8


Вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов представлены на графике 1.

График 1 Прямое включение

1.2 . Определение типа материала диода.

Известно, что ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ. Таким образом, можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. В итоге: диод Д7Ж – германиевый диод, диод Д220 – кремниевый.