Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №30
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
20.03.2018
-
Размер:
840 KB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
SibGOODy
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
245DF961-D151-4370-8CA0-F20891F8CF85.docx
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Исходные данные (последняя цифра пароля «0»):
Тип БТ: КТ605А;
Напряжение питания: ЕК=15 В;
Сопротивление нагрузки: RН=200 Ом;
Постоянный ток смещения в цепи базы: IБ0=750 мкА;
Амплитуда переменной составляющей тока базы: IБМ=375 мкА.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные (последняя цифра пароля «0»):
Частота: f=20 МГц;
Модуль коэффициента передачи: H21=3,0;
Постоянная времени цепи коллектора: тК=210 пс.
Задача 4. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные (предпоследняя цифра пароля «3»):
Тип ПТ: КП103К;
Напряжение сток-исток: UСИ0=8 В;
Напряжение затвор-исток: UЗИ0=4 В.
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI, напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h.
Исходные данные (последняя цифра пароля «0»):
Тип БТ: КТ605А;
Напряжение питания: ЕК=15 В;
Сопротивление нагрузки: RН=200 Ом;
Постоянный ток смещения в цепи базы: IБ0=750 мкА;
Амплитуда переменной составляющей тока базы: IБМ=375 мкА.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты для различных схем включения транзисторов.
Исходные данные (последняя цифра пароля «0»):
Частота: f=20 МГц;
Модуль коэффициента передачи: H21=3,0;
Постоянная времени цепи коллектора: тК=210 пс.
Задача 4. По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Исходные данные (предпоследняя цифра пароля «3»):
Тип ПТ: КП103К;
Напряжение сток-исток: UСИ0=8 В;
Напряжение затвор-исток: UЗИ0=4 В.
Дополнительная информация
Зачет без замечаний!
Дата сдачи: март 2018 г.
Преподаватель: Савиных В.Л.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Дата сдачи: март 2018 г.
Преподаватель: Савиных В.Л.
Помогу с другим вариантом.
Выполняю работы на заказ по различным дисциплинам.
E-mail: LRV967@ya.ru
Похожие материалы
Контрольная работа по дисциплине физические основы электроники
Иннокентий
: 30 сентября 2019
Описание:
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
№ вар. Тип БТ ЕК, В
RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t пc К,
6 КТ605А 15 300 625 375 20 2,5 230
Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или
Иннокентий
: 30 сентября 2019
100 руб.
Контрольная работа По дисциплине: «Физические основы электроники»
andreyan
: 13 декабря 2017
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
andreyan
: 13 декабря 2017
60 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники
sergeyw78
: 23 мая 2013
ЗАДАЧА №1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2),
включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
ЗАДАЧА №2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
sergeyw78
: 23 мая 2013
75 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
Задача 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
Помощь студентам СибГУТИ ДО
: 23 февраля 2013
300 руб.
Контрольная работа по дисциплине "Физические основы электроники"
RomIN
: 1 июля 2010
СибГути 04 вариант
Задача 1:
Дан биполярный транзистор КТ605А
По статическим характеристикам (рис.1.1 и рис.1.2) заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) ра
RomIN
: 1 июля 2010
100 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 23
SibGOODy
: 23 августа 2024
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
SibGOODy
: 23 августа 2024
1000 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №15
djo
: 8 сентября 2020
Задача 1.
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
djo
: 8 сентября 2020
200 руб.
Контрольная работа По дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 12.
mdmatrix
: 28 августа 2020
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
mdmatrix
: 28 августа 2020
120 руб.
Другие работы
Экзаменационная работа по дисциплине: Технологические основы отрасли.
pleze
: 26 ноября 2017
ВК 1ЦЛ *1ЦЛ 1 режим работы. Входящий канал -17;
Исходящий канал 08; КК- 207 (исходные данные для вопросов 1-4)
1. Указать номер ячейки памяти ЗУИ
a) 17
b) 08
c) 207
2. Указать номер ячейки ЗУА
a) 207
b) 08
c) 17
3. Укажите содержимое ячейки памяти ЗУИ
a) 10100011
b) 11001111
c) 11101100
4. Укажите содержимое ячейки памяти ЗУА
a) 01101
b) 10001
c) 11111
5. Коммуникационная система, поддерживающая в пределах здания или группы зданий один или несколько высокоскоростных каналов передач
pleze
: 26 ноября 2017
20 руб.
Планирование, организация и анализ хозяйственной деятельности предприятия
ostah
: 24 сентября 2013
Одним из главных путей научно-технического прогресса, как указано в основных направлениях экономического и социального развития на 1986 – 1990 годы и на период до 2000 года, утвержденных XXVII съездом КПСС, является развитие радиоэлектроники и особенно микроэлектроники, позволяющей значительно повысить технический, технологический и организационный уровни производства на базе микропроцессорной техники, оптоэлектроники и др. видов полупроводниковой электроники.
Основная тенденция развития микроэ
ostah
: 24 сентября 2013
19 руб.
Экзамен по дисциплине «Организация производства на предприятиях связи»
Amor
: 16 октября 2013
Экзаменационный тест:
1. Понятие первичной сети связи
2. Классификация вторичных сетей
3. Организационно-производственная структура ТЦМС
4. Сравнение способов установления междугородных соединений
5. Расчет каналов и пропускной способности на МТС при ЗСО, НСО и ССО
6. Состав и назначение станционного цеха ГТС
7. Способы построения ГТС
8. Структура и функции линейного цеха ГТС
9. Методы расчета численности работников ГТС
10. Способы построения СТС
11. Назовите метод технического обслуживания обор
Amor
: 16 октября 2013
135 руб.
Теплотехника ТОГУ-ЦДОТ 2008 Задача 3 Вариант 49
Z24
: 21 января 2026
Расход газа в поршневом одноступенчатом компрессоре составляет V1 при давлении р1=0,1 МПа и температуре t1. При сжатии температура газа повышается на 200ºC. Сжатие происходит по политропе с показателем n. Определить конечное давление, работу сжатия и работу привода компрессора, количество отведенной теплоты (в киловаттах), а также теоретическую мощность привода компрессора.
Указание. При расчете принять: k=cp/cυ=const≠f(t)
Ответить на вопросы: Как влияет показатель политропы на конечное давл
Z24
: 21 января 2026
200 руб.
