Курсовая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №01
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность , рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия h .
Дано:
Транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты1⁄2 Н211⁄2 / h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Задача 4: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.2 приложения 1. По выходным характеристикам полевого транзистора (приложение 2) построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры полевого транзистора и построить их зависимость от напряжения на затворе.
Вариант Тип ПТ UСИ0, В UЗИ0, В
0 КП 903 А 18 8
Дополнительная информация
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 29.12.2019
Рецензия: Уважаемый ,
Савиных Валерий Леонидович
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Контрольная работа
Оценка: Зачет
Дата оценки: 29.12.2019
Рецензия: Уважаемый ,
Савиных Валерий Леонидович
Помогу с вашим вариантом, другой работой или дисциплиной.
E-mail: sneroy20@gmail.com
Похожие материалы
Лабораторные работы №№1-3 и Курсовая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант №01
IT-STUDHELP
: 7 января 2020
Лабораторная работа No1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
5 Указания к составлению отчета
5.1 Привести схемы исследования полупроводниковых диодов.
5.2 Привести таблицы с результатами измерений.
5.3 Привести вольтамперные характеристики (график 1) германиевого и кремниевого диодов дл
600 руб.
Физические основы электроники. Контрольная работа. Вариант 01.
Ste9035
: 17 октября 2016
Задача 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Задача 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
Задача 3
Для данного транзистора на част
40 руб.
Контрольная работа "Физические основы электроники". Вариант 01.
corner
: 18 ноября 2011
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом.
Задача 2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3. Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты |H21|/h21=F(f) для различных с
100 руб.
Контрольная работа по физическим основам электроники. вариант 01, сибгути
Yulya0709
: 8 декабря 2014
ЗАДАЧА 1(С 1ПО 3-ВАРИАНТ 1)
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
ЗАДАЧА 3
Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента переда
50 руб.
Контрольная работа №1. Физические основы электроники. Вариант №01
DarkInq
: 21 апреля 2014
1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры
2. Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1
30 руб.
Контрольная работа по предмету физические основы электроники. Вариант 01
te86
: 17 мая 2013
Задание 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления
60 руб.
Курсовая работа по дисциплине: Физические основы электроники. Вариант 29
SibGOODy
: 23 августа 2024
Задача 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления п
1000 руб.
Физические основы электроники Лабораторные работы №№1-3. Вариант 01
007lena007
: 20 февраля 2017
Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №2
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Лабораторная работа №3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов.
129 руб.
Другие работы
Курсовая работа по дисциплине: Пакетная телефония. Вариант №21
Учеба "Под ключ"
: 12 октября 2016
Содержание
Задание на курсовой проект 4
Задание 1 - Расчетное 4
Задание 2 - Графическое 5
Задание 3 - Графическое 5
Введение 6
1 Обзорная часть 7
1.1 Архитектура NGN 7
1.1.1 Транспортный уровень 8
1.1.2 Уровень управления коммутацией и обслуживанием вызова 9
1.1.3 Уровень услуг и управления услугами 10
1.1.4 Концепция Triple Play 12
1.1.5 Услуги передачи данных 13
1.1.6 Голосовые услуги VoIP 15
1.1.7 Услуга IP-TV 17
1.2 Обзор технологий построения транспортных сетей 18
1.3 Сравнение АТМ и IP 18
1200 руб.
Лабораторная работа № 5 «Поиск пути в двухзвенном коммутационном поле» по дисциплине: Цифровые системы коммутации и их ПО Вариант:14
lenny84
: 28 февраля 2012
Выполнение работы: Скриншоты программы
Ввод параметров коммутационного поля:
Число коммутаторов на звене А=6
Число коммутаторов на звене В=5
Число входов в коммутатор звена А=6
Число входов в коммутатор звена В=6
Количество ДКПН 15
Количество ТКПН 15
Размещение ДКПН...
Количество ТКПН...
200 руб.
Лабораторная работа 6.8 + Контрольные вопросы. Вариант №10.
novosibguti
: 23 апреля 2011
1. Цель работы
Изучить зависимость электропроводности полупроводникового образца от температуры. Определить ширину запрещенной зоны
2. Теоретическое введение
3. Описание лабораторной установки
4. Экспериментальные результаты.
Вывод
5. Контрольные вопросы
6. Литература
50 руб.
Лабараторная работа №3. Вариант №4
sold1982
: 4 марта 2018
Задание. Написать функцию, которая вычисляет для заданной квадратной матрицы A её симметричную часть S(ij)=(A(ij)+A(ji))/2 и кососимметричную часть K(ij)=(A(ij)-A(ji))/2:
150 руб.