Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
Дополнительная информация
Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.06.2020
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.06.2020
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр
Alexandr1305
: 28 мая 2020
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
100 руб.
Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
DEKABR1973
: 16 января 2018
билет № 10
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Зачет. Физические основы электроники. Билет №10
donkirik
: 30 января 2015
1.Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
в конце работа над ошибками в соответствии с рецензией преподавателя.необходимо отредактировать.
150 руб.
Зачет. Билет №10. Физические основы электроники
pepol
: 6 декабря 2013
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ.
Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Билет №10.
ДО Сибгути
: 5 февраля 2016
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
40 руб.
ЭКЗАМЕН Физические Основы Электроники, БИЛЕТ №10, 2-й семестр
xadmin
: 24 октября 2017
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ h - ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
50 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Andreas74
: 5 марта 2019
Выбор варианта задания
Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б.
Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля.
Таблица П.А.1
No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc
8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220
Варианты заданий для предпоследней цифры пароля.
Таблица П.А.2
Вариан
70 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
130 руб.
Другие работы
Технологический процесс изготовления шестерни ведущей 546-2402017
xaeros
: 4 марта 2012
Содержание
Введение
1 Назначение и конструкция детали
2 Анализ технологичности конструкции детали
3 Определение типа производства
4 Анализ базового техпроцесса
5 Выбор заготовки
6 Принятый маршрутный техпроцесс
7 Расчет припусков на обработку
8 Расчет режимов резания
8.1 Расчет режимов резания аналитическим методом
8.2 Расчет режимов резания по нормативам
9 Расчёт норм времени
10 Уточнение типа производства
11 Расчет точности операции
12 Экономическое обоснование принятого варианта техп
Рециклинг в системе логистического управления
evelin
: 26 июля 2015
Введение.
теоретические аспекты логистики рециклинга.
Логистическое обеспечение рециклинга отходов.
Отходы как вторичные материальные ресурсы.
Государственная политика в области управления отходами.
система рециклинга отходов на оао «Маз».
Производственная характеристика Оао «Маз».
Анализ системы рециклинга отходов на Оао «Маз».
предложения по оптимизации логистической деятельности в области рециклинга отходов на оао «Маз».
30 руб.
Москва и Московская губерния в годы реакции и нового революционного подъема
Aronitue9
: 25 августа 2013
К весне 1907 года революционная волна в стране значительно спала. Царское правительство праздновало победу. Началась беспощадная расправа с рабочими и крестьянами. В Москве усиленно действовали реакция и террор. В первую очередь подвергались аресту и ссылкам активные работники Московского городского и районных комитетов партии большевиков. Тысячи участников революции были казнены, десятки тысяч сосланы на каторгу. Царский министр Столыпин получил прозвище «вешателя». Эту столыпинскую политику оч
19 руб.
Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий (ПОИТ). Курсовая работа. Вариант 17. СибГУТИ. Ускоренно заочная форма
TheMrAlexey
: 21 мая 2016
Расчёт параметров селективных АЦП с передискретизацией.
Целью выполнения курсовой работы является приобретение навыков применения пакета прикладных программ MathCAD.
Исходные данные:
Amin = 12 дБ
Amax = 0,8 дБ
wn =1.4
fВ = 10кГц
fД =32 кГц Amax = 1.3 дБ
тип фильтра – Ч1
50 руб.