Физические основы электроники. Билет 10. 2 курс, 4 семестр

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Экзамен.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Билет № 10

1.  Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры.
  2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.

Дополнительная информация

Уважаемый студент дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Экзамен
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.06.2020
Рецензия:Уважаемый , Ваша работа зачтена.

Савиных Валерий Леонидович
"Физические основы электроники". Вариант 11. 2 курс, 4 семестр
Задача 1: Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора
User Alexandr1305 : 28 мая 2020
100 руб.
Экзамен билет№ 10. Физические основы электроники
билет № 10 1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
User DEKABR1973 : 16 января 2018
50 руб.
Зачет. Физические основы электроники. Билет №10
1.Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ. в конце работа над ошибками в соответствии с рецензией преподавателя.необходимо отредактировать.
User donkirik : 30 января 2015
150 руб.
Зачет. Билет №10. Физические основы электроники
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
User pepol : 6 декабря 2013
50 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Физические Основы Электроники. Билет №10.
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. Определение H - параметров по характеристикам БТ.
User ДО Сибгути : 5 февраля 2016
40 руб.
promo
ЭКЗАМЕН Физические Основы Электроники, БИЛЕТ №10, 2-й семестр
1. Высокочастотные диоды. Особенности конструкции. ВАХ. Основные параметры. 2. ОПРЕДЕЛЕНИЕ h - ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
User xadmin : 24 октября 2017
50 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Выбор варианта задания Исходные данные к решаемым задачам определяются из таблиц приложения А для задач 1, 2, 3 по последней цифре пароля, для задачи 4 по предпоследней цифре пароля. Необходимые характеристики следует брать из приложения Б. Приложение А. Варианты заданий для последней цифры пароля. Таблица П.А.1 No вар. Тип БТ ЕК, В RН, Ом IБ0, мкА IБМ, мкА f, МГц | H| t К, пc 8 КТ605А 15 250 625 375 20 2,75 220 Варианты заданий для предпоследней цифры пароля. Таблица П.А.2 Вариан
User Andreas74 : 5 марта 2019
70 руб.
Контрольная работа, Физические основы электроники, вариант №8, 4 семестр
Физические основы электроники
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность 2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
User erboollat : 21 июня 2020
130 руб.
Технологический процесс изготовления шестерни ведущей 546-2402017
Содержание Введение 1 Назначение и конструкция детали 2 Анализ технологичности конструкции детали 3 Определение типа производства 4 Анализ базового техпроцесса 5 Выбор заготовки 6 Принятый маршрутный техпроцесс 7 Расчет припусков на обработку 8 Расчет режимов резания 8.1 Расчет режимов резания аналитическим методом 8.2 Расчет режимов резания по нормативам 9 Расчёт норм времени 10 Уточнение типа производства 11 Расчет точности операции 12 Экономическое обоснование принятого варианта техп
User xaeros : 4 марта 2012
Технологический процесс изготовления шестерни ведущей 546-2402017
Рециклинг в системе логистического управления
Введение. теоретические аспекты логистики рециклинга. Логистическое обеспечение рециклинга отходов. Отходы как вторичные материальные ресурсы. Государственная политика в области управления отходами. система рециклинга отходов на оао «Маз». Производственная характеристика Оао «Маз». Анализ системы рециклинга отходов на Оао «Маз». предложения по оптимизации логистической деятельности в области рециклинга отходов на оао «Маз».
User evelin : 26 июля 2015
30 руб.
Москва и Московская губерния в годы реакции и нового революционного подъема
К весне 1907 года революционная волна в стране значительно спала. Царское правительство праздновало победу. Началась беспощадная расправа с рабочими и крестьянами. В Москве усиленно действовали реакция и террор. В первую очередь подвергались аресту и ссылкам активные работники Московского городского и районных комитетов партии большевиков. Тысячи участников революции были казнены, десятки тысяч сосланы на каторгу. Царский министр Столыпин получил прозвище «вешателя». Эту столыпинскую политику оч
User Aronitue9 : 25 августа 2013
19 руб.
Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий (ПОИТ). Курсовая работа. Вариант 17. СибГУТИ. Ускоренно заочная форма
Расчёт параметров селективных АЦП с передискретизацией. Целью выполнения курсовой работы является приобретение навыков применения пакета прикладных программ MathCAD. Исходные данные: Amin = 12 дБ Amax = 0,8 дБ wn =1.4 fВ = 10кГц fД =32 кГц Amax = 1.3 дБ тип фильтра – Ч1
User TheMrAlexey : 21 мая 2016
50 руб.
Программное обеспечение инфокоммуникационных технологий (ПОИТ). Курсовая работа. Вариант 17. СибГУТИ. Ускоренно заочная форма
up Наверх