Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon 799781 Лабораторная работа №3, РГР.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

к лабораторной работе No3

ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ

1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы

Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.

Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).

Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.

2) Теоретическое введение

Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.

3) Задание на выполнение лабораторной работы

В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.

4) Рекомендации к выполнению исследований

4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе

5) Содержание отчёта

1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4.  Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.

Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В

Дополнительная информация

Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6). 2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1 Изучение темы и цели лабораторной работы. 2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введени
User L0ki : 29 декабря 2020
200 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Содержание 1 Задание. 3 2 Исходные данные 3 3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5 4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7 5 Определение выигрыша в массе 9 6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10 7 Определение выигрыша в стоимости 12 Выводы 13 1 Задание. 1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
User xtrail : 7 августа 2024
900 руб.
promo
Контрольная работа. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ. Семестры под ключ со скидкой.Итоговые тестирования по любому предмету. Telegram/Whatsapp +79237506818. +77025286053 АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ Содержание Цель работы 3 1. Исходные данные 3 2. Задания к практическим занятиям 5 3. Расчёты 6 3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6 3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8 3.3. Определение выигрыша в массе 9 3.4. Определ
User DO_SIBGUTI_HELP : 2 июля 2024
850 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6). 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной ра
User ferum687 : 9 июня 2020
750 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант №11
Цель работы: Изучить основные принципы работы ключевых схем Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Марка транзистора КТ3102Д Марка транзистора 2N5401
User Кот Леопольд : 31 января 2021
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант №11
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. .Вариант №15
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6). 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. Изучить теоретический материал в объеме материа
User avtor_avtor : 3 января 2020
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
Вариант 15 Задание 1 1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1). 2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2). Задача 2 ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ Задача 3 АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
User radist2020 : 30 января 2022
600 руб.
Лабораторная №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Лабораторная работа №1 Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель работы: 1. Изучить характеристики выпрямительного диода. 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов. Выполнение лабораторной работы 1. Выбрать выпрямительный диод в соответствии с вариантом. Для варианта 1 выпрямительный диод типа Zelex BAS20 Записать значения следующих параметров диода BAS20: 2. Построить прямую ветвь ВАХ выпрямительного диода. Для
User Roma967 : 21 мая 2025
500 руб.
promo
Организация предпринимательской деятельности (6-й семестр. 5-й вариант)
Вопрос 6. Функции предпринимательства в современном обществе. Вопрос 34. Производственное предпринимательство. Вопрос 16. Правовое определение признаков предпринимательской деятельности Вопрос 27. Малое предпринимательство.
User mahaha : 26 апреля 2016
150 руб.
Электротехника, электроника и схемотехника (часть 2). ВАРИАНТ №16. Контрольная работа.
Задача №1 По выходным характеристикам полевого транзистора построить передаточную характеристику при указанном напряжении стока. Определить дифференциальные параметры S, Ri, m полевого транзистора и построить их зависимости от напряжения на затворе. Дано: Транзистор: КП 303Д , UСИ0=14 В, UЗИ0= -8 В. Задача №2 Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры биполярного транзистора и построить зависимости этих параметров от тока базы. Дано: Транзистор: КТ815
User OneOne : 10 ноября 2019
200 руб.
Лабораторная работа № 3 по дисциплине "Программирование на языках высокого уровня. Язык программирования Си". Вариант 3
Язык Си. Тема: Работа с функциями языка Си Задание 1 : Используя функцию, написать программу по своему варианту. Варианты задания 1 3. Написать функцию вычисления суммы ряда s=s(1)+…+s(n), где s(n)=(-1)n x(2n-1)/(2n+1) с точностью до eps=0.001. В качестве параметров выбрать x и eps.
User Greenberg : 17 февраля 2012
49 руб.
Деталь Стержень СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН
Деталь Стержень СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН-Деталь-Деталировка-Сборочный чертеж-Чертежи-(Формат Компас 3D -CDW, Autocad Autodesk-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
167 руб.
Деталь Стержень СВАБА ДЛЯ СВАБИРОВАНИЯ СКВАЖИН
up Наверх