Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
Дополнительная информация
Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
L0ki
: 29 декабря 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем
(лекции 4 и 6).
2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и
теоретического введени
200 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная работа. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
DO_SIBGUTI_HELP
: 2 июля 2024
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.
Семестры под ключ со скидкой.Итоговые тестирования по любому предмету.
Telegram/Whatsapp +79237506818. +77025286053
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определ
850 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ferum687
: 9 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной ра
750 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант №11
Кот Леопольд
: 31 января 2021
Цель работы:
Изучить основные принципы работы ключевых схем
Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Марка транзистора КТ3102Д
Марка транзистора 2N5401
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. .Вариант №15
avtor_avtor
: 3 января 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материа
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Лабораторная №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
Лабораторная работа №1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1. Изучить характеристики выпрямительного диода.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнение лабораторной работы
1. Выбрать выпрямительный диод в соответствии с вариантом.
Для варианта 1 выпрямительный диод типа Zelex BAS20
Записать значения следующих параметров диода BAS20:
2. Построить прямую ветвь ВАХ выпрямительного диода. Для
500 руб.
Другие работы
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Теория сложности вычислительных процессов и структур. Вариант 5
Roma967
: 8 января 2024
Задание лабораторной работы
Имеется склад, на котором присутствует некоторый ассортимент товаров. Запас каждого товара неограничен. У каждого товара своя стоимость сi и масса mi. Написать программу, которая методом динамического программирования формирует набор товаров максимальной стоимости таким образом, чтобы его суммарная масса не превышала заданную грузоподъемность М.
Вывести промежуточные вычисления, сформированный набор, его стоимость и массу.
Номер варианта выбирается по последней цифр
400 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Эксплуатация и проектирование телекоммуникационных систем. Вариант 5
xtrail
: 25 июля 2024
1. Какие организации разрабатывают ГОСТы, ОСТы и т.п.?
1. Проектные институты
2. ВУЗ
3. Научно-исследовательский институт Госстандарта
2. В каком разделе рабочего проекта требуется определить рабочее время и режим работы?
1. Объем оборудования и линейных сооружений;
2. Услуги, классы обслуживания для каждой категории пользователя, а также потребность в ширине полосы пропускания;
3. Режим работы оборудования и требования к обслуживающему персоналу;
4. Измерительная и проверочная аппаратура;
5. Н
400 руб.
Программирование (часть 2). Лабораторные работы №1, 2, 3, 4, 5. Вариант №6.
Cole82
: 6 июня 2015
Лабораторная работа No1
Программирование алгоритмов линейной и разветвляющейся структуры
Задание 1. Составьте и выполните программу линейной структуры согласно вариантам задания.
Вычислить значение функции переменных при заданных значениях параметров:
6. x=8z/(e^t+2)-y^2 при t=1; z=t+2; y=4.
Задание 2. Составьте программы разветвляющейся структуры согласно вариантам задания (используя IF):
6.Даны четыре числа. Определить порядковый номер наименьшего среди них.
Задание 3. Составьте программы раз
21 руб.
Значение интеллектуального тренинга для формирования самоотношения на этапе обучения в ВУЗе
Elfa254
: 15 октября 2013
Определенная Р.Бернсом (1986) целостная Я-концепция, рассматривается как совокупность всех представлений индивида о себе, сопряженная с их оценкой. Описательную составляющую Я-концепции чаще всего называют образом «Я» или представлением о себе, т.е. самоотношением.
В обозначенном аспекте образа «Я», связанного с отношением к себе, имеет место гораздо меньшая терминологическая определенность. С.Р. Пантилеев (1991), в своих исследованиях отмечает, что образ «Я» - это и самооценка, и самоуважение,