Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
Дополнительная информация
Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
L0ki
: 29 декабря 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем
(лекции 4 и 6).
2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и
теоретического введени
200 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная работа. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
DO_SIBGUTI_HELP
: 2 июля 2024
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.
Семестры под ключ со скидкой.Итоговые тестирования по любому предмету.
Telegram/Whatsapp +79237506818. +77025286053
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определ
850 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ferum687
: 9 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной ра
750 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант №11
Кот Леопольд
: 31 января 2021
Цель работы:
Изучить основные принципы работы ключевых схем
Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Марка транзистора КТ3102Д
Марка транзистора 2N5401
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. .Вариант №15
avtor_avtor
: 3 января 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материа
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Лабораторная №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
Лабораторная работа №1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1. Изучить характеристики выпрямительного диода.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнение лабораторной работы
1. Выбрать выпрямительный диод в соответствии с вариантом.
Для варианта 1 выпрямительный диод типа Zelex BAS20
Записать значения следующих параметров диода BAS20:
2. Построить прямую ветвь ВАХ выпрямительного диода. Для
500 руб.
Другие работы
Суров Г.Я. Гидравлика и гидропривод в примерах и задачах Задача 8.43
Z24
: 17 октября 2025
Из закрытого бака вода при температуре 4 ºС поступает по трубе d=100 мм на высоту h=5 м (рис. 8.91). Расход воды Q=0,02 м³/c, потери напора hW=4,2 м. Определить давление на поверхности воды в баке.
160 руб.
Техническое обеспечение автоматического дискретного (логического) управления
Решатель
: 20 января 2025
Автоматическое дискретное (логическое) управление представляет собой важный аспект в автоматизации технологических процессов, который охватывает широкий спектр применений, от управления промышленными установками до систем управления в бытовой электронике. В данной работе рассматриваются основные компоненты и принципы технического обеспечения автоматического дискретного управления, а также их применение в различных областях.
750 руб.
Этнографические приемы в маркетинговых исследованиях
GnobYTEL
: 25 июля 2013
Допустим, у нас есть две во многом очень схожие марки... ну хотя бы растворимого кофе. Они практически ничем не отличаются по своим продуктовым характеристикам, находятся в одной ценовой категории, но при этом их потребители совершенно разные. Одни лояльны первой марке, другие - второй, и обе эти аудитории никак не пересекаются. Понятно, что у двух марок разные образы, это видно даже по их рекламе. Но почему кому-то ближе оказывается первый образ, а кому-то — второй?
Если спросить людей в лоб,
5 руб.
Гидравлика Москва 1990 Задача 13 Вариант 9
Z24
: 27 декабря 2025
На поршень диаметром D действует сила F (рис.11). Определить скорость движения поршня, если в цилиндре находится воды, диаметр отверстия в поршне d, толщина поршня a. Силой трения поршня о цилиндр пренебречь, давление жидкости на верхнюю плоскость поршня не учитывать.
150 руб.