Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
Дополнительная информация
Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
L0ki
: 29 декабря 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем
(лекции 4 и 6).
2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и
теоретического введени
200 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная работа. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
DO_SIBGUTI_HELP
: 2 июля 2024
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.
Семестры под ключ со скидкой.Итоговые тестирования по любому предмету.
Telegram/Whatsapp +79237506818. +77025286053
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определ
850 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ferum687
: 9 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной ра
750 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант №11
Кот Леопольд
: 31 января 2021
Цель работы:
Изучить основные принципы работы ключевых схем
Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Марка транзистора КТ3102Д
Марка транзистора 2N5401
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. .Вариант №15
avtor_avtor
: 3 января 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материа
500 руб.
Элементная база телекоммуникационных систем
radist2020
: 30 января 2022
Вариант 15
Задание 1
1. Осуществить расчет параметров диода по заданным параметрам, приведенным в таблице 1 (формулы для расчета приведены ниже таблицы 1).
2. Выбрать все типы диодов из Приложения А, с параметрами, удовлетворяющими условиям (1) и (2).
Задача 2
ВЫБОР СТАБИЛИТРОНОВ ДЛЯ ВТОРИЧНЫХ ИСТОЧНИКОВ ПИТАНИЯ
Задача 3
АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ПОИСК ТРАНЗИСТОРА
600 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего э
900 руб.
Другие работы
Понимание проблем сексуального и репродуктивного здоровья, ВИЧ/СПИД и ИППП применительно к детям улиц
Elfa254
: 10 февраля 2014
Введение
1. Социально-демографические характеристики детей улиц
1.1 Половозрастной состав безнадзорных
1.2 Влияние продолжительной уличной жизни на риск заболевания ВИЧ-инфекцией
1.3 Специфика уличного образа жизни подростка
1.4 Разрыв связей со школой, как один из факторов риска ВИЧ-инфецирования
Глава 2. Социально-психологические особенности детей улиц
2.1 Основные причины ухода из дома подростков
2.2 Адаптация подростков к уличным условиям
2.3 Характеристика уличной «тусовки»
2.4 Способы полу
20 руб.
Курсовая работа по информатике: «Интерполяция». Вариант № 12
Amor
: 8 октября 2013
Цель работы
• Нужно провести работу с известной функцией y = f(x) =N3*sin(x/N) на отрезке [N,N+1], где N – номер в журнале и также номер варианта.
• Узловые значения функции y = f(x) =N3*sin(x/N), i=0,1,…,n заданы в точках.
• Используя эти узловые значения y(xi)=f(xi), надо восстановить все значения функции на отрезке [N,N+1] и оценить допускаемую погрешность Rn(kxпр)=Ln(kxпр)-f(kxпр), где n=1,2 и f(kxпр) – значения функции Лагранжа и Ньютона в «произвольной» точке kxпр=N+0.05+k*0.01; k=0,1,2,…
240 руб.
Основные этапы эволюции предмета психологии
alfFRED
: 17 октября 2013
Введение
1. Душа как предмет психологических знаний
1.1 Вопрос о природе души с точки зрения материализма
1.2 Идеалистическое понимание души в античной психологии
2. Развитие психологии в период Средневековья и эпоху Возрождения
2.1 Предпосылки становления сознания в качестве предмета психологии
3. Развитие психологии в период с Нового времени по середину XIX века
3.1 Выделение сознания как критерия психики
3.2 Становление эмпирической психологии
3.3 Становление ассоциативной психологии