Все разделы / Элементная база телекоммуникационных систем /
Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
(300 ) Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01ID: 211773Дата закачки: 29 Июня 2020 Продавец: Александр (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Лабораторная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ДО СИБГУТИ Описание: МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ к лабораторной работе №3 ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ 1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах. Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6). 2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем. Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем: 1. Изучение темы и цели лабораторной работы. 2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения. 3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6). Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А. 2) Теоретическое введение Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств. Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк. 3) Задание на выполнение лабораторной работы В ходе выполнения лабораторной работы требуется: 1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27. 2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности. 3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем. 4) Рекомендации к выполнению исследований 4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе 1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max. 2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2) Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета. 3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3) где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора). 4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5) Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1. Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе 4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе 4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе 5) Содержание отчёта 1. Тема и цель лабораторной работы. 2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6). 3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей. 4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения. 5. Передаточная характеристика транзисторного ключа. 6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем: - насколько «идеальны» схемы как ключи; - насколько «идеальны» входные параметры ключа. Вариант № 1 Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе IКОМ = 0,09А Е2 = 23В E1MAX =4,2В Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе IКОМ = 0,4А Е2 = 36В Комментарии: Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна Размер файла: 99 Кбайт Фаил: ![]() ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 3 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Лабораторная работа №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01Лабораторная работа №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01 Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №11 Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №16 Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №11 Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14 Контрольная и Лабораторные работы 1-2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №14 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Элементная база телекоммуникационных систем / Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01