Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3. Вариант 01
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
к лабораторной работе No3
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1) Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах.
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной работы.
2. Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и теоретического введения.
3. Требования к оформлению отчета (см. раздел 6).
Номер варианта для выполнения лабораторной работы должен выбирается по двум последним цифрам номера пароля. Варианты приведены в Приложении А.
2) Теоретическое введение
Транзисторный ключ является основным элементом устройств цифровой электроники и очень многих устройств силовой электроники. Параметры и характеристики транзисторного ключа в очень большой степени определяют свойства соответствующих схем. Качественное улучшение параметров и характеристик транзисторных ключей приводит к радикальному улучшению электронных устройств.
Простейший ключ на биполярном транзисторе показан на рис. 2.1.Резистор Rб в цепи базы служит для задания необходимого тока базы. Резистор Rк является внутренней нагрузкой ключа, а резистор Rн – его внешней нагрузкой. Величина внешней нагрузки может меняться в широких пределах. При RК= ∞ ключ работает в режиме холостого хода. Предельной нагрузкой, при которой ключ еще должен сохранять свои параметры, считают величину Rн = Rк.
3) Задание на выполнение лабораторной работы
В ходе выполнения лабораторной работы требуется:
1. Подобрать транзисторы и рассчитать параметры резисторов схем транзисторных ключей, приведенных на рисунках Б.6 и Б.27.
2. Собрав схемы, приведенные на рисунках рисунков Б.6 и Б.7 с рассчитанными элементами, убедиться в их работоспособности.
3. Пользуясь рекомендациями пунктов 4.3 и 4.4, исследовать передаточные характеристики рассчитанных ключевых схем.
4) Рекомендации к выполнению исследований
4.1 Расчет и испытание транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
1. Выбрать параметры на расчёт ключевой схемы в соответствии с вариантом (Приложение А) - значения коммутируемых токов и напряжений ( , E2 соответственно), а также значение уровня логической «1» - E1max.
2. Выбрать марку транзистора из предлагаемого набора – КТ3102Е, KT3102D, КТ315A, 2N5551 – по следующим критериям: (4.1) . (4.2)
Параметры UКЭmax и IKmax найти, используя ресурсы Интернета.
3. Рассчитать требуемый ток базы (4.3)
где h21оэ - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером (выбрать максимальное значение из диапазона, приведенного в характеристиках транзистора).
4. Рассчитать номиналы резисторов по следующим выражениям (4.4) (4.5)
Занести основные параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе в таблицу 4.1.
Таблица 4.1 – Параметры транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.2 Расчёт и испытание транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
4.3 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на n-p-n транзисторе
4.4 Исследование входной и передаточной характеристик транзисторного ключа на p-n-p транзисторе
5) Содержание отчёта
1. Тема и цель лабораторной работы.
2. Таблицы наблюдений (таблицы 4.1 – 4.6).
3. Графики статических входных и передаточных характеристик ключей.
4. Экспериментальные значения входных пороговых напряжений переключения.
5. Передаточная характеристика транзисторного ключа.
6. Выводы по результатам проведенных исследований. Сделайте «экспертное» заключение о следующем:
- насколько «идеальны» схемы как ключи;
- насколько «идеальны» входные параметры ключа.
Вариант No 1
Транзисторные ключи на n-p-n транзисторе
IКОМ = 0,09А
Е2 = 23В
E1MAX =4,2В
Транзисторные ключи на p-n-p транзисторе
IКОМ = 0,4А
Е2 = 36В
Дополнительная информация
Лабораторная работа 3 13.06.2020 24.06.2020 Зачет Уважаемый Александр Александрович, работа зачтена. Елистратова Ирина Борисовна
Похожие материалы
Элементная база телекоммуникационных систем. Лабораторная работа №3
L0ki
: 29 декабря 2020
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной
работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1 Изучить основные принципы работы ключевых схем
(лекции 4 и 6).
2 Приобрести начальные навыки расчёта параметров
элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная
подготовка, состоящая в следующем:
1 Изучение темы и цели лабораторной работы.
2 Изучить теоретический материал в объеме материала лекций и
теоретического введени
200 руб.
Контрольная по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
xtrail
: 7 августа 2024
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
1 Задание. 3
2 Исходные данные 3
3 Определение выигрыша во времени безотказной работы 5
4 Определение выигрыша по занимаемому объему 7
5 Определение выигрыша в массе 9
6 Определение выигрыша по потребляемой мощности 10
7 Определение выигрыша в стоимости 12
Выводы 13
1 Задание.
1.1 Определить выигрыш во времени безотказной работы наноэлектронного изделия по отношению к реализации изделия аналогичной сложно
900 руб.
Контрольная работа. Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
DO_SIBGUTI_HELP
: 2 июля 2024
Поможем сдать все работы для студентов ДО СИБГУТИ.
Семестры под ключ со скидкой.Итоговые тестирования по любому предмету.
Telegram/Whatsapp +79237506818. +77025286053
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определ
850 руб.
Лабораторная работа №3 Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант №3
ferum687
: 9 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ КЛЮЧЕВЫХ СХЕМ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
1 Задание на подготовку к выполнению лабораторной работы
Тема: Изучение ключевых схем на биполярных транзисторах
Цель работы: 1. Изучить основные принципы работы ключевых схем (лекции 4 и 6).
2. Приобрести начальные навыки расчёта параметров элементов некоторых ключевых схем.
Выполнению данной работы должна предшествовать предварительная подготовка, состоящая в следующем:
1. Изучение темы и цели лабораторной ра
750 руб.
Лабораторная №1 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
Лабораторная работа №1
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель работы:
1. Изучить характеристики выпрямительного диода.
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а также по обработке и оформлению полученных результатов.
Выполнение лабораторной работы
1. Выбрать выпрямительный диод в соответствии с вариантом.
Для варианта 1 выпрямительный диод типа Zelex BAS20
Записать значения следующих параметров диода BAS20:
2. Построить прямую ветвь ВАХ выпрямительного диода. Для
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
ЭЛЕМЕНТЫ ЦИФРОВОЙ АППАРАТУРЫ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ УСТРОЙСТВ
ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Изучить основные правила и методы разработки цифровой аппаратуры телекоммуникационных систем
ЗАДАНИЕ
В задании приведены четыре уравнения (Приложение А). В этих уравнениях Y1, Y2, Y3, Y4 – выходные логические сигналы устройства, Х1, Х2, Х3, Х4, Х5, Х6, X7, X8 – входные логические сигналы (их количество в разных вариантах может быть до восьми).
Задание – разработать электрическую схему цифрового устройства, выполняющего э
900 руб.
Лабораторная №2 по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Roma967
: 21 мая 2025
Лабораторная работа №2
Цель работы:
Изучить статические ВАХ и другие определяющие характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом
Задание на выполнение лабораторной работы
Рассчитать основные параметры и построить сток-затворную и характеристику полевого транзистора.
Выполнение исследований
Расчет характеристик транзисторов с индуцированным каналом
1. Выбрать тип (марку) полевого транзистора с индуцированным каналом в соответствии с вариантом. Вариант 1 - транзистор типа Phili
500 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Элементная база телекоммуникационных систем. Вариант 01
Учеба "Под ключ"
: 7 ноября 2022
АНАЛИЗ ТЕХНИКО-ЭКОНОМИЧЕСКОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ ВНЕДРЕНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ ИЗДЕЛИЙ
Содержание
Цель работы 3
1. Исходные данные 3
2. Задания к практическим занятиям 5
3. Расчёты 6
3.1. Определение выигрыша во времени безотказной работы 6
3.2. Определение выигрыша по занимаемому объему 8
3.3. Определение выигрыша в массе 9
3.4. Определение выигрыша по потребляемой мощности 9
3.5. Определение выигрыша в стоимости 10
Список использованных источников 12
Цель работы
Оценить технико-экономическую эффект
1000 руб.
Другие работы
Инженерная графика. Вариант 9 ТУСУР
coolns
: 16 февраля 2024
Инженерная графика. Вариант 9 ТУСУР
ГРАФИЧЕСКАЯ КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА
Задания на контрольную работу:
1. Проекционное черчение
2. Резьбовое соединение (соединение винтом).
3. Деталирование. Шарнир шаровой 06.000 сб.
Выполнить рабочие чертежи деталей 1,5,6.
Все чертежи и 3d модель + PDF (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По др
600 руб.
Проект реконструкции автобазы СЖД с детальной разработкой зоны ТР
proekt-sto
: 1 августа 2019
В ходе выполнения дипломного проекта по автобазе «СЖД» в первом его пункте было выполнено технико-экономическое обоснование темы дипломного проекта, в котором приведены характеристика , основные показатели работы , обоснована необходимость реконструкции участка ТР.
Во втором пункте проекта приведен проект реконструкции автобазы «СЖД». Произведен расчет годовых пробегов автомобилей и потребность в различных видах технического обслуживания и ремонта автомобилей, выполнен расчет штатной численност
300 руб.
Исследование операций . Билет №5
IT-STUDHELP
: 9 февраля 2022
Зачетная работа по курсу.
"Исследование операций"
Вариант 5
Задание 1
Пусть менеджер на предприятии должен решить, вкладывать ли средства в изделие A или в изделие B (он не может сделать и то и другое из-за финансовых ограничений). Согласно имеющимся оценкам, научно-исследовательские работы по изделию A требуют инвестиций в размере 1,5 миллионов долларов ($), но шансы, что исследования будут успешными и удастся организовать производство изделия, равны всего 70%. С вероятностью 30% будет получ
480 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Менеджмент в телекоммуникациях. Билет №9
Jurgen
: 24 октября 2012
Билет №9
1.Виды производственной работы на ГТС.
2. Построить сетевой график для следующих условий: комплекс работ состоит из трех работ, последовательность выполнения: вторая после первой, третья после второй.
150 руб.