Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цена:
35 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 807DBC32-A82E-4E9B-BB42-6C270093D3D3.zip [ 127 KB ]
material.view.file_icon Лабораторная работа № 1.doc [ 200 KB ]
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Отчет по работе № 1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении.

Дополнительная информация

2010 год, СибГУТИ, без замечаний, выполнена аккуратно.
Есть вывод по работе!

Похожие материалы

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по лабораторной работе №1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 с приложенным напряжением в прямом напра
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Лабораторная работа №1 Физические основы электроники СибГУТИ 2 семестр Для данной работу задание одно, вариант не выбирается Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User DaemonMag : 4 февраля 2010
30 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Другие работы

Польські інвестиції в Україну в світлі східної політики ЄС
ВСТУП РОЗДІЛ 1. Інвестиційна політика держави та іноземні інвестиції 1.1 Іноземні інвестиції у країнах з перехідною економікою 1.2 Інвестиційна політика держави 1.3 Інвестиційна політика України на умов переходу до ринку Висновки до Розділу 1 РОЗДІЛ 2. Прямі іноземні інвестиції в українській економіці сьогодні 2.1 Інвестиційний клімат України у синхронії і діахронії 2.2 ПІЗ як фактор розвитку економіки України 2.3 Організаційно-економічний механізм залучення прямих іноземних інвестицій
Диплом и связанное с ним Международные отношения и мировая экономика
User alfFRED : 11 сентября 2013
77 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Базы данных. Билет №5
Билет №5 1. Преобразование диаграмм «Сущность-Связь» в систему отношений (таблиц) 2. Выявить аномалии и нормализовать таблицу Рецепты Блюдо Продукт Количество Способ приготовления Каша рисовая Рис 20 Довести до кипения молоко… Каша рисовая Молоко 60 Довести до кипения молоко… Каша рисовая Сахар 5 Довести до кипения молоко… 3. Написать запрос, вычисляющий число проведённых занятий в каждой группе. СТУДЕНТ (№зачётной книжки, фамилия, имя, №группы, №факультета) ДИСЦИПЛИНА (№дисциплины, название
ДО СИБГУТИ Базы данных Работа Экзаменационная
User SibGOODy : 23 августа 2024
600 руб.
Экзаменационная работа по дисциплине: Базы данных. Билет №5 promo
Теплотехника 5 задач Задача 2 Вариант 57
Определить индикаторную Ni и эффективную Ne мощность четырехтактного двигателя внутреннего сгорания по его конструктивным параметрам и среднему индикаторному давлению рi. Диаметр цилиндра двигателя D, ход поршня S, угловая скорость коленчатого вала Ω, мин-1, число цилиндров Z, среднее индикаторное давление рi и механический КПД ηм выбрать из табл. 2. Ответить на вопросы: Каковы основные различия в работе двухтактного и четырехтактного двигателей внутреннего сгорания? Каковы преимущества и
Задачи
User Z24 : 3 января 2026
200 руб.
Теплотехника 5 задач Задача 2 Вариант 57
Современные технические средства наблюдения
Введение Системы телевизионного наблюдения Средства непосредственного наблюдения Выводы Источники 1. ВВЕДЕНИЕ Технические средства наблюдения (ТСН) предназначены для обеспечения безопасности на охраняемом объекте. Они позволяют одному или нескольким наблюдателям одновременно следить за одним или многими объектами, находящимися порой на значительном расстоянии как друг от друга, так и от места наблюдения. В настоящее время ТСН не являются экзотикой. Стоимость наиболее простых систем позволяет их
Военное дело Работа
User evelin : 8 марта 2014
5 руб.
up Наверх