Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Отчет по работе № 1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении.
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении.
Дополнительная информация
2010 год, СибГУТИ, без замечаний, выполнена аккуратно.
Есть вывод по работе!
Есть вывод по работе!
Похожие материалы
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
200 руб.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Aronitue9
: 8 марта 2012
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
доц. Савиных В. Л.
20 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
185 руб.
Другие работы
Гидравлика Задача 1.55
Z24
: 1 декабря 2025
В отопительной системе (котел, радиаторы, трубопроводы) небольшого дома содержится Wотоп сист.=0,4 м³ воды. Сколько воды дополнительно войдет в расширительный бак при нагревании от 20 до 90 ºС.
Ответ: ΔW=0,014 м³.
120 руб.
Курсовой проект. Многоканальные телекоммуникационные системы. Проект реконструкции участка первичной сети.
Алиса8
: 6 июля 2019
Курсовой проект. Тема: "Проект реконструкции участка первичной сети".
Задача проекта:
Произвести реконструкцию всех участков сети путем замены аналоговых систем передачи на цифровые при использовании существующего кабеля на двух участках сети: А-Г; Г-В.
На остальных участках проложить оптический кабель. При этом обеспечить организацию следующих типов каналов и цифровых потоков, согласно данным таблицы.
Содержание проекта:
Выбрать типы цифровых систем передачи для реконструируемых участков с
2000 руб.
Клапаны-отсекатели магистральные: Авторское свидетельство №2360172, Авторское свидетельство №2100682, Авторское свидетельство №2389882, Авторское свидетельство №2238468, Авторское свидетельство №2292508, Авторское свидетельство №2315173, Вентиль с подачей
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 31 мая 2016
Клапаны-отсекатели магистральные: Авторское свидетельство №2360172, Авторское свидетельство №2100682, Авторское свидетельство №2389882, Авторское свидетельство №2238468, Авторское свидетельство №2292508, Авторское свидетельство №2315173, Вентиль с подачей среды под запорный орган, Запорно-регулирующее устройство для автоматической отсечки шлейфа газовой скважины, Автомат аварийного закрытия крана на магистральных газопроводах, Отсечное устройство, Клапан-отсекатель-(Формат Компас-CDW, Autocad-DW
696 руб.