Страницу Назад
Поискать другие аналоги этой работы
650 Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22ID: 99550Дата закачки: 27 Июня 2013 Продавец: Помощь студентам СибГУТИ ДО (Напишите, если есть вопросы) Посмотреть другие работы этого продавца Тип работы: Работа Контрольная Форматы файлов: Microsoft Word Сдано в учебном заведении: ТУСУР Описание: Вопрос № 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос № 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос № 31 Какие сведения о полупроводнике необходимы для расчета эффективной массы электрона? Ответы: 1) тип полупроводника; 2) эффективная масса электрона известна; 3) эффективную массу электрона в зоне проводимости можно рассчитать, если известна экспериментальная зависимость Е(k) для электрона в этой зоне; 4) необходимо знать зону, в которой находится электрон. Вопрос № 40 Каков механизм поставки дополнительных электронов примесными атомами в донорном полупроводнике? Ответы: 1) дополнительные электроны вводятся в зону проводимости донорного полупроводника один раз на стадии его изготовления; 2) причина образования дополнительных электронов - тепловая ионизация донорных атомов; 3) дополнительные электроны возникают только за счет их перехода из валентной зоны; 4) электроны при повышении температры от 0 К в первую очередь переходят в зону проводимости с донорных уровней. Вопрос № 55 Какое выражение используется для расчета концентрации электронов в донорном полупроводнике? Ответы: 1) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ; 2) nn = (NdNc/2)1/2 еxp[-(Ed-Ev)/2kT] ; 3) nn = Nd еxp[-(Ec-Ed)/2kT] ; 4) nn = (NvNc)1/2 еxp[-(Ec-Ev)/2kT] ; Задача 2.8. Вычислите в электронвольтах положение уровня Ферми относительно потолка валентной зоны в собственном кремнии при температуре 270 С, если эффективные массы электронов и дырок, соответственно, mn=1,08 m0, mp=0,56 m0, ширина запрещенной зоны кремния Е =1,11 эВ. Размер файла: 45,3 Кбайт Фаил: (.docx) ------------------- Обратите внимание, что преподаватели часто переставляют варианты и меняют исходные данные! Если вы хотите, чтобы работа точно соответствовала, смотрите исходные данные. Если их нет, обратитесь к продавцу или к нам в тех. поддержку. Имейте ввиду, что согласно гарантии возврата средств, мы не возвращаем деньги если вариант окажется не тот. -------------------
Скачано: 1 Коментариев: 0 |
||||
Есть вопросы? Посмотри часто задаваемые вопросы и ответы на них. Опять не то? Мы можем помочь сделать! Некоторые похожие работы:Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22 Ещё искать по базе с такими же ключевыми словами. |
||||
Не можешь найти то что нужно? Мы можем помочь сделать! От 350 руб. за реферат, низкие цены. Спеши, предложение ограничено ! |
Вход в аккаунт:
Страницу Назад
Cодержание / Электроника физическая / Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вход в аккаунт: