Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Состав работы
|
|
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
- Microsoft Word
Описание
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.
Вопрос No 36
Какой полупроводник называется собственным? Ответы:
1) Это полупроводник, который принадлежит конкретному владельцу;
2) собственный полупроводник - это вещество с совершенной кристаллической структурой без примесей чужеродных атомов;
3) полупроводник, в запрещенной зоне которого не имеется донорных или акцепторных энергетических уровней;
4) это полупроводник, в котором перенос электрического тока осуществляется носителями заряда только одного знака - электронами или дырками.
Вопрос No 63
Выделите среди нижеприведенных правильные температурные зависимости концентраций носителей заряда в собственном полупроводнике.
Вопрос No 93
Какие физические характеристики акцепторного полупроводника можно определить из температурной зависимости его удельной электропроводности? Ответы:
1) удельное сопротивление при температуре абсолютного нуля;
2) температуру перехода к собственной проводимости (Тi);
3) ширину запрещенной зоны полупроводника (ΔE);
4) энергию ионизации акцепторного уровня (ΔEa).
Вопрос No 117
В каких твердых телах возможны диффузионные токи? Ответы:
1) в полупроводниках с однородным распределением примеси в объеме при постоянной температуре и в темноте;
2) в полупроводниках, неоднородно освещенных видимым светом;
3) в металлах с неоднородным распределением примеси по объему;
4) в однородно легированных донорных полупроводниках с неодинаковой температурой разных частей объема.
Задача 3.7. Определите плотность тока в донорном арсениде галлия (GaAs) с концентрацией электронов nn0=51021 м3 в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если при температуре 300 К дрейфовая подвижность электронов n=0,85 м2/Вс, дырок p=0,04 м2/Вс, а собственная концентрация носителей заряда ni=1,11013 м3.
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влияния электронами внешних слоев, ослабляется взаимодействие электронов внутреннего слоя с электронами и ядрами других атомов;
4) это явление связано с зарядом ядра (z) атома.
Вопрос No 36
Какой полупроводник называется собственным? Ответы:
1) Это полупроводник, который принадлежит конкретному владельцу;
2) собственный полупроводник - это вещество с совершенной кристаллической структурой без примесей чужеродных атомов;
3) полупроводник, в запрещенной зоне которого не имеется донорных или акцепторных энергетических уровней;
4) это полупроводник, в котором перенос электрического тока осуществляется носителями заряда только одного знака - электронами или дырками.
Вопрос No 63
Выделите среди нижеприведенных правильные температурные зависимости концентраций носителей заряда в собственном полупроводнике.
Вопрос No 93
Какие физические характеристики акцепторного полупроводника можно определить из температурной зависимости его удельной электропроводности? Ответы:
1) удельное сопротивление при температуре абсолютного нуля;
2) температуру перехода к собственной проводимости (Тi);
3) ширину запрещенной зоны полупроводника (ΔE);
4) энергию ионизации акцепторного уровня (ΔEa).
Вопрос No 117
В каких твердых телах возможны диффузионные токи? Ответы:
1) в полупроводниках с однородным распределением примеси в объеме при постоянной температуре и в темноте;
2) в полупроводниках, неоднородно освещенных видимым светом;
3) в металлах с неоднородным распределением примеси по объему;
4) в однородно легированных донорных полупроводниках с неодинаковой температурой разных частей объема.
Задача 3.7. Определите плотность тока в донорном арсениде галлия (GaAs) с концентрацией электронов nn0=51021 м3 в электрическом поле напряженностью 100 В/м, если при температуре 300 К дрейфовая подвижность электронов n=0,85 м2/Вс, дырок p=0,04 м2/Вс, а собственная концентрация носителей заряда ni=1,11013 м3.
Дополнительная информация
Работа зачтена.2012 год
Похожие материалы
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
freelancer
: 16 апреля 2016
Вопрос No 11
Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы:
1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев;
2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому;
3) вследствие экранирующего влия
300 руб.
Сопряжение. Вариант 22
Laguz
: 11 сентября 2025
Практическая работа №2
Сделано в компас 16+сохранено в джпг и пдф
Открывается всеми версиями компаса начиная с 16.
Если есть требование, наоборот сделать в последней новой версии компаса, то просто открываете в этой новой версии и сохраняете.
Все что есть на приложенных изображениях, есть в приложенном архиве.
Если есть какие-то вопросы или нужно другой вариант, пишите.
100 руб.
Стойка. Вариант 22
coolns
: 17 марта 2023
Стойка. Вариант 22
По двум проекциям построить третью проекцию с применением разрезов, указанных в схеме, изометрическую проекцию учебной модели с вырезом передней четверти. Нанести размеры.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в КОМПАС 3D.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
100 руб.
Башмак. вариант 22
coolns
: 14 февраля 2023
БАШМАК. ВАРИАНТ 22
Соединить вид спереди фронтальным разрезом.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.
Угольник. вариант 22
coolns
: 14 февраля 2023
УГОЛЬНИК. ВАРИАНТ 22
Заменить вид спереди разрезом А-А.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.
Корпус. вариант 22
coolns
: 14 февраля 2023
КОРПУС. ВАРИАНТ 22
По приведенным изображениям детали построить вид слева и выполнить необходимые разрезы.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
120 руб.
Плита. вариант 22
coolns
: 14 февраля 2023
ПЛИТА. ВАРИАНТ 22
Заменить вид слева разрезом А-А.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.
Подвеска. вариант 22
coolns
: 14 февраля 2023
ПОДВЕСКА. ВАРИАНТ 22
Соединить вид слева профильным разрезом.
Чертеж и 3d модель (все на скриншотах показано и присутствует в архиве) выполнены в компасе 3D v13, возможно открыть в 14,15,16,17,18,19,20,21,22,23 и выше версиях компаса.
Также открывать и просматривать, печатать чертежи и 3D-модели, выполненные в КОМПАСЕ можно просмоторщиком КОМПАС-3D Viewer.
По другим вариантам и всем вопросам пишите в Л/С. Отвечу и помогу.
80 руб.
Другие работы
Экзамен по дисциплине: Протоколы и интерфейсы телекоммуникационных систем.Билет №04. Год сдачи 2022
ilya2213
: 8 декабря 2022
Билет 4
Дисциплина «Протоколы и интерфейсы в телекоммуникационных системах»
1.Приведите достоинства и недостатки топологии сети «кольцо».
2.Какие функции выполняет транспортный уровень модели OSI?
3. Перечислить типы SIP-адресов, что значат их элементы?
4.Как определить по IP-адресу номер сети и номер узла в этой сети?
5. В вашем распоряжении имеются IP- адреса сети 198.124.55.0., какую маску нужно применить, чтобы организовать 8 подсетей, сколько узлов будет в этих подсетях ?
390 руб.
Агрегат насосный АН 320 25-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 20 мая 2016
Агрегат насосный АН 320 25-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для капитального ремонта, обработки пласта, бурения и цементирования нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
500 руб.
5 вариант. Управленческий учет и учет персонала.
studypro3
: 4 августа 2019
6. Организация управленческого учёта по местам возникновения затрат и центрам ответственности
16. Организация управленческого учёта по системе «директ-костинг»
Задание 6
Компания предполагает продавать продукцию по £27 за единицу, пе-ременные затраты предполагаются равными £15 на единицу. Постоянные затраты составят £197 040 за месяц.
Требуется определить:
1. Какова критическая точка выпуска продукции в единицах продажи?
2. Какова критическая точка выпуска продукции в денежном выраже-нии?
3
400 руб.
Социальная защита малообеспеченных слоев населения
evelin
: 6 февраля 2014
Содержание
Введение
1. Специфика и актуальность темы социальной защиты малообеспеченных слоев населения в России
1.1 Социальная защита как важнейшая составляющая социальной политики
1.2 История социальной политики в сфере помощи малообеспеченных слоев населения
1.3 Понятие и структура малообеспеченных слоев населения
1.4 Сущность и специфика управления социальной защитой малообеспеченных слоев населения
2. Направления социальной защиты малообеспеченных слоев населения в Российской Федерации
2.1
5 руб.