Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon AD7DE6A8-FDA5-40AC-9B65-802A5C6134C4.docx [ 156 KB ]
Работа представляет собой файл, который можно открыть в программе:
  • Microsoft Word

Описание

"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"

Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов.

Ход работы

1. Статические передаточные характеристики ПТ.
Выходные характеристики полевого транзистора.
Определение крутизны.
Исследовние работы усилителя.
Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики .
Режим обогащения.
Режим отсечки.
Выводы

Дополнительная информация

По данной работе получен зачет!

Похожие материалы

Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" (ВСЕ варианты)
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов. Выполнение лабораторной работы. 1. Статические передаточные характеристики ПТ. 2. Выходные характеристики полевого транзистора. 3. Определение крутизны. 4. Исследование работы усилителя. 4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики . 4.2. Режим обогащения. 4.3. Режим отсечки. Выводы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Елена22 : 7 октября 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". (Для всех вариантов)
Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов. Выполнение работы: 1. Статические передаточные характеристики ПТ. 2. Выходные характеристики полевого транзистора. 3. Определение крутизны. 4. Исследование работы усилителя. 4.1. Рабочая точка находится посередине линейного участка передаточной характеристики. 4.2. Режим обогащения. 4.3. Режим отсечки. Выводы
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Roma967 : 29 мая 2015
300 руб.
promo
Лабораторная работа №3 по дисциплине: Физические основы электроники. Тема: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов". Вариант №6
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC=F(U3И) (график1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рисунке 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого тран
СибГУТИ Физика Работа Лабораторная
User daffi49 : 19 января 2014
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов "
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User aleks797 : 17 декабря 2011
50 руб.
Лабораторная работа № 3 по дисциплине: Физические основы электроники "ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ" Вариант: 11
Вывод: Полевые транзисторы - это полупроводниковые приборы, усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемым электрическим полем. Полевые транзисторы предназначены для усиления мощности и преобразования электрических колебаний. В полевых транзисторах в образовании выходного тока участвуют носители только одного типа: или дырки, или электроны. Отсюда другое название полевых транзисторов - униполярные. Носители
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User konst1992 : 31 января 2018
30 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов.
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ Цель работы: Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Отчет по работе ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ. а) Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис. 1. б) Схема для снятия семейства выходных вольтамперных характеристик транзистора представлена на рисунке 3. в) Схема для исслед
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Лабораторная работа № 3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов. По дисциплине: Физические основы электроники
1.Цель работы: изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). .1. Снять передаточную характеристику IC=F(U3И). Установить UCИ=10В и изменять напряжение U3И до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений занести в таблицу 3.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА)
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User natin83 : 2 апреля 2012
100 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине: Программирование графических процессов. Для всех вариантов.
1.Базовые принципы организации памяти GPU. Контрольная работа выполняется в виде реферата. На титульном листе студент должен указать свои фамилию, имя, отчество и группу. При ответе на вопросы 3 – 7 студент должен обязательно указать, в каких случаях применяются данные элементы GPU. При ответе на вопросы 3 – 8 плюсом будет фрагмент кода, демонстрирующий работу с данным элементом GPU. Вопросы: Базовые принципы организации памяти GPU. Различия архитектур GPU и CPU. Константная память. Глобальная
Программирование графических процессоров СибГУТИ Работа Контрольная
User IT-STUDHELP : 2 февраля 2019
190 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 4 Вариант 4
Определить потери теплоты излучением через открытое окно, расположенное в стенке печи, температура которой tпеч. Окно имеет размеры: ширина В и высота Н. Толщина стенки S. Окно открывают на время τ.
Задачи
User Z24 : 3 января 2026
150 руб.
Расчеты по теплообмену УрФУ Задача 4 Вариант 4
Патологическая анатомия пороков сердца
Ревматический порок сердца в виде органической деформации составных элементов клапанного аппарата является следствием эндокардита. Последний складывается из тромбоэндокардита и специфического вальвулита, которые почти, как правило, сочетаются друг с другом. Вальвулит с мукоидным отеком, набуханием коллагена и гранулематозом может наблюдаться во всех отделах клапанного аппарата, однако наиболее интенсивно и часто выражен в фиброзном кольце и в основании клапанов, особенно в фиброзном пласте их, п
Рефераты Медицина и медицинская техника
User alfFRED : 4 февраля 2013
Индивидуальное задание №2 по курсу «Метрология, стандартизация и сертификация в инфокоммуникациях» на тему: «Аналоговые вольтметры и их использование в измерительной практике». Вариант 41.
Вариант 41. Предлагается индивидуальное задание, которое состоит из четырех за-даний по темам: 1) методы обработки результатов наблюдений; 2) аналого-вые вольтметры и их использование в измерительной практике; Предназначены для студентов, обучающихся по направлениям «Теле-коммуникации», в рамках которых изучаются дисциплины метрологического профиля. Выполнение индивидуального задания способствует закреплению приобретенных теоретических знаний по изучаемой дисциплине, а также по математике и тео
Работа Расчетно-графическая Метрология и стандартизация Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики
User StanSlaw : 23 октября 2018
400 руб.
up Наверх