Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
120 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 9FB6B9F3-2C27-4B88-84D6-EB7BD5EA0365.rar [ 74 KB ]
material.view.file_icon лабораторная 1 исследование статических характеристик полупроводниковых диодов.doc [ 130 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.

Дополнительная информация

Зачтена в 2015г. СибГУТИ

Похожие материалы

Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 1 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. доц. Савиных В. Л.
Информационные технологии и системы Работа Лабораторная
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по работе № 1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User reanimator00 : 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
1. Схема прямого включения 2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый. 3. Схема обратного включения 4. Исследование стабилитрона Д814А 5. Исследование однополупериодного выпрямителя: 6. Построим график вольт-амперных характер
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон133 : 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
Электроника Работа Лабораторная
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User lev12345678 : 17 марта 2013

Другие работы

Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 1 Вариант 01
По известному массовому составу продуктов сгорания и их параметрам – давлению р1 и температуре t1 определите: 1. Среднюю молекулярную массу и газовую постоянную смеси. 2. Плотность и удельный объем при заданных и нормальных условиях. 3. Парциальное давление СО2.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 27 января 2026
200 руб.
Основы термодинамики и теплотехники СахГУ Задача 1 Вариант 01
Устройства оптоэлектроники\Контрольная работа 1\Вариант03\СибГУТИ
Задача No 1 Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Вариант 03. Фотодиод с гетероструктурой. Задача No 2 Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр. Исходные данные: Тип полупроводникового материала Ge; Квантовая эффективность, ; Ширина запрещенной зоны = 0,6эВ; Найти:
ДО СИБГУТИ Устройство оптоэлектроники Работа Контрольная
User suhinin : 26 января 2016
25 руб.
Проектирование внутреннего водопровода и канализации жилого дома
Исходные данные. 5 чертежей формата А4: План 1-го этажа и план подвала; Аксонометрическая схема внутреннего водопровода; Разрез по канализационному стояку; План дворовой канализации; Продольный профиль дворовой канализации; Таблицы в Excel: Гидравлический расчёт внутренней водопроводной сети; Расчёт внутренней канализации; Расчёт дворовой канализационной сети; Геодезический расчёт дворовой канализационной сети; Пояснительная записка: Внутренний водопровод и ввод; Внутренняя канализационная сеть;
Водоснабжение и водоотведение Работа
User Aronitue9 : 25 января 2015
25 руб.
Контрольная работа
Контрольная работа по дисциплине "Экология". Вариант №14. Вопросы для контрольной работы 15. Динамика роста численности населения планеты. Понятие и причины демографического взрыва, его территориальный характер, прогнозы развития. 80. Экологические последствия различных видов загрязнений почв. Задачи контрольной работы Задача №4 Озеро используется как рыбохозяйственный водоем. На берегу озера площадью 5 км2 и средней глубиной 2 м предполагается расположить промышленное предприятие, и
ДО СИБГУТИ Экология Работа Контрольная
User ITNerd : 22 октября 2025
510 руб.
Контрольная работа
up Наверх