Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Билеты Часть 3._cccd5594445b1696a068c131b9cd89a8.docx
material.view.file_icon Билеты Часть 1._1a8ee0b222096e3bd889ff5599264e92.docx
material.view.file_icon Билеты Часть 2._d02cfbf0ae78577b3ea038c06f157cef.docx

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19
Вопрос 1.
Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С
Вопрос 2.
Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С.
Вопрос 3.
Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=4700 Ом, Rr=1000 Ом.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗАДАЧА 3 Для данного транзистора на частот
User xtrail : 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
Приложены файлы для построения графиков ЗАДАЧА 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. ЗАДАЧА 2 Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА. ЗА
User ДО Сибгути : 26 января 2013
40 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1. Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1 Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1. Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
User ДО Сибгути : 26 января 2013
100 руб.
promo
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
Специальность ФТОС Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип Ge Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? 1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3 Энергия
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
4 задачи. 1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант доц. Савиных В. Л. Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА. Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
Задача No 1 Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА. Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
User IT : 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
Задача 1 Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами: Тип полупроводника n-тип InP Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с) Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с) Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3 Концентрация основных носителей тока nn = ? Концентрация неосновных носителей тока pn = ? Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3 Энергия примесных уров
User azatmar : 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Задача 1 Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого: а) построить линию нагрузки; б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
User Vladimirus : 24 февраля 2016
120 руб.
Термодинамический цикл 2 Вариант 19
Определить: 1 Параметры в характерных точках цикла р, υ, Т. 2 Средние массовые теплоемкости в процессах цикла. 3 Термодинамическую l и потенциальную работу ω, теплоту q, изменение внутренней энергии Δu, энтальпии Δh и энтропии ΔS в процессах цикла, работу цикла lц,термический к.п.д. цикла ηt. 4 Построить цикл в координатах P-V и T-S.
User Z24 : 29 сентября 2025
800 руб.
Термодинамический цикл 2 Вариант 19
Лабораторная работа № 5 по предмету: "Теория сложностей вычислительных процессов и структур". Вариант № 1
Задание Имеется склад, на котором присутствует некоторый ассортимент товаров. Запас каждого товара неограничен. У каждого товара своя стоимость Ci и масса mi. Написать программу, которая методом динамического программирования формирует такой набор товаров, чтобы его суммарная масса не превышала заданную грузоподъемность М, и стоимость была бы максимальной. На экран вывести промежуточные вычисления, сформированный набор, его стоимость и массу. Номер варианта выбирается по последней цифре пароля
User xtrail : 22 апреля 2013
200 руб.
Глобалистика как отрасль научного знания
В конце XX в. глобализация, понимаемая – в первом приближении – как возрастающая взаимосвязанность мира, входит в критическую фазу: после почти двух десятилетий развития по восходящей этот процесс дает явные сбои, особенно в сфере финансов и экономики, и вызывает массовые общественные движения альтернативного толка. Ситуация настолько серьезна, что дает основание ставить вопросы: не исчерпала ли себя глобализация и даже – что есть постглобализация? Ответы на эти вопросы дают политики и обществен
User evelin : 3 сентября 2013
5 руб.
Учет товарно-материальных запасов на предприятии
Осуществление непрерывного технологического процесса производства предприятия поддерживается создаваемыми запасами материалов, полуфабрикатов, топлива и др. В соответствии с МСБУ 2 «Запасы», запасы - активы, предназначенные для продажи в ходе обычной деятельности, или для производства товаров (услуг) для такой продажи, а также сырье и материалы, используемые в процессе производства. Запасы также включают недвижимость, предназначенную для перепродажи. Запасы компании, производящей услуги, включа
User alfFRED : 7 сентября 2013
10 руб.
up Наверх