Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19, Ускоренное обучение 2 курс
-
Категории:
СибГУТИ, Физические основы электроники, Работа Контрольная
-
Добавлен:
13.10.2016
-
Размер:
19 MB
-
Покупок:
1
-
Добавил:
Twinki
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
Билеты Часть 3._cccd5594445b1696a068c131b9cd89a8.docx
|
|
Билеты Часть 1._1a8ee0b222096e3bd889ff5599264e92.docx
|
|
Билеты Часть 2._d02cfbf0ae78577b3ea038c06f157cef.docx
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Контрольная работа по ФОЭ, Вариант №19
Вопрос 1.
Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С
Вопрос 2.
Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С.
Вопрос 3.
Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=4700 Ом, Rr=1000 Ом.
Вопрос 1.
Цепь состоит из последовательно включенного диода Д303 и регистра 0,4 Ома.На ВАХ диода построить нагрузочную прямую Uвх=1,2 В. Определить ток, падения напряжения на диоде и нагрузке Т=20С
Вопрос 2.
Для двух точек( одна на прямой ветви ВАХ при Iпр=2,5 А, другая на обратной Uобр=100 В) определить сопротивление по постоянному току Т=60С.
Вопрос 3.
Определить пределы изменения входного напряжения схемы стабилизации, если Uст=47 В, Iст min =5 мА, Rн=4700 Ом, Rr=1000 Ом.
Похожие материалы
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант № 9
xtrail
: 20 марта 2013
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗАДАЧА 3
Для данного транзистора на частот
xtrail
: 20 марта 2013
160 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №1
ДО Сибгути
: 26 января 2013
Приложены файлы для построения графиков
ЗАДАЧА 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
ЗАДАЧА 2
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы ΔIБ= ± 50=100 мкА относительно рабочей точки IБ0=200 мкА.
ЗА
ДО Сибгути
: 26 января 2013
40 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. Вариант №0
ДО Сибгути
: 26 января 2013
4 задачи. 1,2,3 задачи - 0 вариант, 4-я задача - 7вариант
Задача 1: Исходные данные для задачи 1 из таблицы П.1.1 приложения 1.
Таблица 1 – Исходные данные для задачи 1
Задача 2: Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Задача 3: Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частотыН21/ h21=F(f) для различных схем
ДО Сибгути
: 26 января 2013
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 3 вариант
azatmar
: 22 января 2012
Специальность ФТОС
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип Ge
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 1800 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 140 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 2,5*1013 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
1)Эффективная плотность уровня NC = 1*1019 см-3
Энергия
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. 4-й вариант
Aronitue9
: 8 марта 2012
4 задачи.
1,2,3 задачи - 1 вариант, 4-я задача - 1вариант
доц. Савиных В. Л.
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК = 50В, сопротивление нагрузки RН = 1000Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0 = 200мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ= 150мкА.
Выходные статические характеристики транзистора с необходимыми построениями показаны на рисунке 1.1. Нагрузочная линия соответствует графику уравнения IК=(EК-UКЭ)/RН. На семействе выходных характеристик ордината этой прямой
Aronitue9
: 8 марта 2012
20 руб.
Контрольная работа. ФОЭ
IT
: 12 марта 2015
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявит
IT
: 12 марта 2015
100 руб.
Контрольная работа по ФОЭ. специальность ФТОС. вариант 7
azatmar
: 22 января 2012
Задача 1
Образец полупроводника находится в состоянии термодинамического равновесия при Т=300К и характеризуется следующими параметрами:
Тип полупроводника n-тип InP
Удельное сопротивление ρ = 10 Ом*см
Подвижность электронов μn = 4600 см2/(В*с)
Подвижностьм дырок μр = 150 см2/(В*с)
Концентрация собственных носителей тока ni = 3*108 см-3
Концентрация основных носителей тока nn = ?
Концентрация неосновных носителей тока pn = ?
Эффективная плотность уровня NC = 2,6*1018 см-3
Энергия примесных уров
azatmar
: 22 января 2012
250 руб.
Контрольная работа по ФОЭ (Физические основы электроники). Вариант №15.
Vladimirus
: 24 февраля 2016
Задача 1
Исходные данные для задачи берем из таблицы П.1.1 приложения 1. По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом, Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
Vladimirus
: 24 февраля 2016
120 руб.
Другие работы
Лабораторная работа по метрологии №5
31010
: 31 мая 2008
Измерение фазового сдвига
Цель работы: ознакомление с осциллографическими методами измерения фазового сдвига между двумя синхронными гармоническими напряжениями и получения практического навыка проверки шкалы фазометра с помощью калибратора фазы.
31010
: 31 мая 2008
Газлифтная установка-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 23 мая 2016
Газлифтная установка-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для бурения нефтяных и газовых скважин-Курсовая работа-Дипломная работа
https://vk.com/aleksey.nakonechnyy27
: 23 мая 2016
500 руб.
Износ режущего инструмента
Dimm
: 2 июля 2008
Виды износа режущего инструмента, контактные процессы на режущей кромке.
Содержание
1. Износ режущих инструментов
2. Характер износа режущих инструментов
3. Механизм изнашивания режущего инструмента
3.1. Абразивное изнашивание.
3.2. Адгезионное изнашивание.
3.3. Диффузионное изнашивание.
3.4. Электроэрозионное изнашивание.
4. Нарастание износа за время работы
5. Зависимость стойкости режущего инструмента от скорости резания
6. Список литературы
Dimm
: 2 июля 2008
Представление К. Роджерса о самоактуализации
alfFRED
: 16 октября 2013
Сталкиваясь с большим количеством возможных вариантов проживания своей жизни, человек вынужден интенсивно осознавать свой жизненный опыт и искать собственный путь развития. В таких условиях становятся особенно актуальными такие категории человеческого существования как осмысленность бытия, индивидуальность самовыражения, креативность, аутентичность, развитие своих возможностей, самоосуществление или самоактуализация.
Теория самоактуализации является ключевым системообразующим элементом гуманист
alfFRED
: 16 октября 2013
