Физические основы электроники. 14-й вариант. Сборник лабораторных плюс контрольная
-
Категории:
ДО СИБГУТИ, Работа Лабораторная, Физические основы электроники
-
Добавлен:
21.10.2016
-
Размер:
3 MB
-
Покупок:
3
-
Добавил:
igoriceg
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
3.doc
|
|
кр.doc
|
|
№1.doc
|
|
№2.doc
|
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1) По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
2)Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы IБ= ± 100=200 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
3) Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты | Н21|/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора t К= 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Лабораторные:
No1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
No2
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
No3
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффициенты усиления по току KI , напряжению KU и мощности KP и входное сопротивление усилителя RВХ. Найти полезную мощность в нагрузке P~ , мощность, рассеиваемую в коллекторе PK, потребляемую мощность РПОТР и коэффициент полезного действия .
2)Используя характеристики заданного биполярного транзистора определить h-параметры в рабочей точке, полученной в задаче 1.
Находим h- параметры в рабочей точке, которая определена в задаче 1. Параметр h11Э определяем следующим образом. На входных характеристиках (рисунок 2.1) задаемся приращением тока базы IБ= ± 100=200 мкА относительно рабочей точки IБ0=500 мкА.
3) Используя h-параметры (задача 2), определить частотные параметры транзистора и построить зависимости относительного коэффициента передачи тока от частоты | Н21|/ h21=F(f) для различных схем включения транзисторов.
Для данного транзистора на частоте f =20 МГц модуль коэффициента передачи тока Н21Э=2,25 и постоянная времени цепи коллектора t К= 240 пс. Коэффициент передачи тока базы Н21Э в зависимости от частоты определяется формулой:
Лабораторные:
No1
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
No2
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
No3
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Дополнительная информация
Работы зачтены без замечаний. Проверил Савиных Валерий Леонидович. Сданы в октябре 2016
Похожие материалы
Физические основы электроники. 2-й вариант
kombatowoz
: 28 ноября 2019
2 лабораторных и курсовая,5 семестр
лаб1
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
лаб2
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора (БТ). Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой (ОБ) и общим эмиттером (ОЭ).
лаб3
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
курсовая
Задача 1
kombatowoz
: 28 ноября 2019
200 руб.
Контрольная по физическим основам электроники. 7-й вариант
te86
: 9 сентября 2012
Задача No 1
Дано: транзистор КТ603А, напряжение питания ЕК=60 В, сопротивление нагрузки RН=800 Ом, постоянный ток смещения в цепи базы IБ0=300 мкА, амплитуда переменной составляющей тока базы IБМ=200 мкА.
Найти: По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить н
te86
: 9 сентября 2012
50 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Электрические свойства полупроводников (ПП). Собственные и примесные ПП. Их электропроводность
2. Входные и выходные характеристики БТ в схеме с ОБ. Схема для снятия характеристик. Вид характеристик и их объяснение.
erboollat
: 21 июня 2020
130 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Отчет по работе:
СНЯТИЕ ВОЛЬТАМПЕРНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ДИОДОВ Д7Ж И Д220 ПРИ ПРЯМОМ ВКЛЮЧЕНИИ.
Схемы для снятия характеристик диодов в прямом направлении приведены на рисунках: 1а и 1б
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора (приложение 2), включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, определить величины амплитуд напряжений на коллекторе и базе, тока коллектора;
в) рассчитать для линейного (мало искажающего) режима коэффици
erboollat
: 21 июня 2020
120 руб.
Физические основы электроники
erboollat
: 21 июня 2020
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
1. Цель работы:
Ознакомиться с устройством и принципом действия биполярного транзистора. Изучить его вольтамперные характеристики в схемах включения с общей базой и общим эмиттером.
2. Отчет о работе
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
ДЛЯ СХЕМЫ С ОБЩЕЙ БАЗОЙ.
На рисунке 1 приведена принципиальная схема для транзистора n-p-n для исследования его входных и выходных характеристик с общей базой.
erboollat
: 21 июня 2020
100 руб.
Физические основы электроники
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
Контрольная работа
По дисциплине: Физические основы электроники
Выполнил: Титова Ю.В.
Группа: Т-61в
Вариант: №01
Проверил: Савиных Валерий Леонидович
Задача 1
По статическим характеристикам заданного биполярного транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером, рассчитать параметры усилителя графоаналитическим методом. Для этого:
а) построить линию нагрузки;
б) построить на характеристиках временные диаграммы токов и напряжений и выявить наличие или отсутствие искажений формы сигнала, опреде
Yuliyatitova
: 1 апреля 2020
300 руб.
« Физические основы электроники »
Фрося
: 25 февраля 2020
Комплексное задание по дисциплине « Физические основы
электроники »
.
1. Содержание задач комплексного задания
Задача №1. Согласно номера варианта и статических характеристик биполярного транзистора выполнить графоаналитические расчеты для усилительного каскада по схеме с общим эмиттером (ОЭ) :
а) записать исходные данные:
марка транзистора ________ тип транзистора ___________
напряжение источника питания коллекторной цепи ЕК =____В;
активное сопротивление нагрузки RН = ______ Ом;
постоянн
Фрося
: 25 февраля 2020
900 руб.
Другие работы
Расчет процессов с влажным воздухом МИИТ Задача 3 Вариант 37
Z24
: 20 октября 2025
ТЕРМОДИНАМИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ИЗМЕНЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВЛАЖНОГО ВОЗДУХА
Для двух потоков влажного воздуха после их смешения и тепловлажностной обработки в соответствии с заданными параметрами определить:
1 Параметры смеси двух потоков воздуха на входе в установку для тепловлажностной обработки (энтальпию, относительную влажность, влагосодержание, температуру по сухому и мокрому термометру, температуру точки росы, молярную массу, газовую постоянную).
2 Количество теплоты и влаги,
Z24
: 20 октября 2025
200 руб.
Практическое занятие № 4. Гостиничный сервис.
studypro3
: 28 ноября 2018
Практическая работа № 4
Тема «Определение параметров конкурентоспособности гостиничного предприятия»
Цель: научиться определять параметры конкурентоспособности гостиничного предприятия
Порядок работы:
Услуга размещения воспринимается гостями как само собой разумеющееся, а повышенный интерес вызывают именно дополнительные услуги, выделяющие данную гостиницу из ряда других.
Доход от размещения зависит от:
- процента загрузки номерного фонда, которым располагает гостиница:
(число проданных номеро
studypro3
: 28 ноября 2018
300 руб.
Комплексный анализ изменения структуры занятости в России
Elfa254
: 11 ноября 2013
ВВЕДЕНИЕ
Рынок труда занимает ведущее положение среди структурных элементов рыночной экономики, поскольку непосредственно связан с функционированием человеческого капитала. Изменения на рынке труда происходят под влиянием трансформации экономики России в пореформенный период. Формирование нового типа рынка труда в Российской Федерации происходит в условиях институциональных преобразований в обществе, которые не вполне адаптированы к национальной экономике. Вследствие этого автоматически запуска
Elfa254
: 11 ноября 2013
10 руб.
Маркетинг в отрасли инфокоммуникаций. Зачет. Вариант №5
ElenaA
: 26 февраля 2018
1. Наиболее оперативным способом сбора маркетинговых данных является использование
2. Целевой рынок – это:
3. Выражение «Отыщите потребность и удовлетворите ее» является лозунгом концепции:
4. Марка, разработанная торговым предприятием, называется:
5. При принятии решения о покупке товара широкого потребления наибольшее влияние на покупателя оказывает информация, полученная:
6. Фирмы изучают реакции покупателей на характеристики товаров с целью:
7. В современном маркетинге первичным является:
ElenaA
: 26 февраля 2018
30 руб.
