Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Состав работы
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Похожие материалы
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 22 декабря 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2 . Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследован
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Lanisto
: 17 марта 2015
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Aronitue9
: 8 марта 2012
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
доц. Савиных В. Л.
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
reanimator00
: 11 марта 2010
Отчет по работе № 1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
ДО Сибгути
: 31 января 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
1.2. Определение типа материала диода.
1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
2.Обратное включение.
3. Исследование стабилитрона Д814А
4. Исследование
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
Антон133
: 3 апреля 2016
1. Схема прямого включения
2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый.
3. Схема обратного включения
4. Исследование стабилитрона Д814А
5. Исследование однополупериодного выпрямителя:
6. Построим график вольт-амперных характер
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
mirsan
: 24 января 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
Выполнение работы:
а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр)
б) Определение типа материала диода.
в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА.
г) Исследовани
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
lev12345678
: 17 марта 2013
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Другие работы
Кейс 2. Принятия управленческих решений. 2016
studypro
: 25 марта 2016
Кейс 2
Закрытое акционерное общество «Сатурн» работает на рынке 7 лет. Занимается поставкой автозапчастей на российский рынок. За это время успело зарекомендовать себя. Сложилась следующая ситуация: на рынке появилась конкурирующая фирма. Автозапчасти данной фирмы стоит в 1,5 раза дешевле, чем у фирмы «Сатурн». Что в данной неблагоприятной управленческой ситуации делать фирме «Сатурн»?
Задание. Попробуйте решить данную проблему. Какие действия должна предпринять данная фирма?
Какую информацию ЗА
150 руб.
Проектирование генерального плана аэропорта. Вариант №23,28
dangerrose
: 6 октября 2014
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1.1. Определение класса аэропорта.
1.2. Определение класса аэродрома
1.3. Ситуационный план аэропорта
1.4. Обоснование количества искусственных взлетно-посадочных полос (ИВПП)
1.5.Ориентирование взлетно-посадочных полос на местности
1.6.Обоснование планировочных параметров элементов аэродрома
1.6.1. Обоснование потребной ширины и длины ИВПП и размеров элементов летной полосы с учетом местных условий
1.6.2. Определение количества и общей площади рулежных дорожек
200 руб.
ЭВМ и периферийные устройства. Лабораторные работы №4-5. Вариант 09, 19 и т.д.
growlist
: 16 мая 2017
Лабораторная работа No4.
Исследование арифметических операций
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Получение практических навыков использования операций сложения, вычитания и умножения; освоение использования окон Module и Inspect программы TURBO DEBUGGER.
2. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
2.1. Абель П. Язык Ассемблера для IBM PC и программирования /Пер. c англ. М.:Высш. шк., 1992,c 173-190.
2.2. Белецкий Я. Энциклопедия языка Си: Пер. c польск.-М.:Мир,1992, с 394-406.
3. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ
3.1. Изучить методиче
40 руб.
Лабораторная работа №1. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №1
dralex
: 13 сентября 2020
Схемотехника телекоммуникационных устройств
Лабораторная работа №1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Вариант 1
1 Цель работы
Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики).
Варианты значений емкостей
C1, мкФ 2.2
C2, мкФ 4.7
C3, пФ 200
C5, мкФ 500
150 руб.