Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"

Цена:
200 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon Физические основы электроники лаб 1.docx
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 1
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Лабораторная работа №1. "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2 . Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследован
User ДО Сибгути : 22 декабря 2015
50 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
User Lanisto : 17 марта 2015
120 руб.
Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. доц. Савиных В. Л.
User Aronitue9 : 8 марта 2012
20 руб.
Лабораторная работа № 1, Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Отчет по работе № 1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1. Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На рис. 2.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. На графике 2.1 приведена вольтампер
User reanimator00 : 11 марта 2010
35 руб.
Отчет по лабораторной работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) 1.2. Определение типа материала диода. 1.3 . Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. 2.Обратное включение. 3. Исследование стабилитрона Д814А 4. Исследование
User ДО Сибгути : 31 января 2013
100 руб.
Лабораторная работа №1."Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов". Вариант №2
1. Схема прямого включения 2. Так как ширина запрещённой зоны для германия ∆W=0,72эВ, а для кремния ∆W=1,12эВ, то можно сделать вывод что, диод выполненный из германия, с менее узкой шириной запрещённой зоны, будет иметь более крутую кривую ВАХ чем диод, выполненный из кремния. Значит диод Д7Ж выполнен из германия, а диод Д220 – из кремниевый. 3. Схема обратного включения 4. Исследование стабилитрона Д814А 5. Исследование однополупериодного выпрямителя: 6. Построим график вольт-амперных характер
User Антон133 : 3 апреля 2016
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1. Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. Выполнение работы: а) Снятие вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при условии: Iпр=f(Uпр) б) Определение типа материала диода. в) Определение сопротивления постоянному току и дифференциального сопротивления при прямом токе 4мА. г) Исследовани
User mirsan : 24 января 2015
55 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
User lev12345678 : 17 марта 2013
Кейс 2. Принятия управленческих решений. 2016
Кейс 2 Закрытое акционерное общество «Сатурн» работает на рынке 7 лет. Занимается поставкой автозапчастей на российский рынок. За это время успело зарекомендовать себя. Сложилась следующая ситуация: на рынке появилась конкурирующая фирма. Автозапчасти данной фирмы стоит в 1,5 раза дешевле, чем у фирмы «Сатурн». Что в данной неблагоприятной управленческой ситуации делать фирме «Сатурн»? Задание. Попробуйте решить данную проблему. Какие действия должна предпринять данная фирма? Какую информацию ЗА
User studypro : 25 марта 2016
150 руб.
Проектирование генерального плана аэропорта. Вариант №23,28
СОДЕРЖАНИЕ Введение 1.1. Определение класса аэропорта. 1.2. Определение класса аэродрома 1.3. Ситуационный план аэропорта 1.4. Обоснование количества искусственных взлетно-посадочных полос (ИВПП) 1.5.Ориентирование взлетно-посадочных полос на местности 1.6.Обоснование планировочных параметров элементов аэродрома 1.6.1. Обоснование потребной ширины и длины ИВПП и размеров элементов летной полосы с учетом местных условий 1.6.2. Определение количества и общей площади рулежных дорожек
User dangerrose : 6 октября 2014
200 руб.
Проектирование генерального плана аэропорта. Вариант №23,28
ЭВМ и периферийные устройства. Лабораторные работы №4-5. Вариант 09, 19 и т.д.
Лабораторная работа No4. Исследование арифметических операций 1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ Получение практических навыков использования операций сложения, вычитания и умножения; освоение использования окон Module и Inspect программы TURBO DEBUGGER. 2. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 2.1. Абель П. Язык Ассемблера для IBM PC и программирования /Пер. c англ. М.:Высш. шк., 1992,c 173-190. 2.2. Белецкий Я. Энциклопедия языка Си: Пер. c польск.-М.:Мир,1992, с 394-406. 3. ПОДГОТОВКА К РАБОТЕ 3.1. Изучить методиче
User growlist : 16 мая 2017
40 руб.
promo
Лабораторная работа №1. Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе. Вариант №1
Схемотехника телекоммуникационных устройств Лабораторная работа №1 Исследование резисторного каскада предварительного усиления на биполярном транзисторе Вариант 1 1 Цель работы Исследовать влияние параметров элементов схемы каскада с эмиттерной стабилизацией на его показатели (коэффициент усиления, частотные и переходные характеристики). Варианты значений емкостей C1, мкФ 2.2 C2, мкФ 4.7 C3, пФ 200 C5, мкФ 500
User dralex : 13 сентября 2020
150 руб.
up Наверх