Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов

Цена:
50 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 5C8415AB-9750-4936-A143-CDD66D7552D7.rar [ 160 KB ]
material.view.file_icon ЛР3.doc [ 205 KB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики.
2. Подготовка к работе
Изучить следующие вопросы курса:
1.Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
2.Схемы включения ПТ.
3.Статические характеристики.
4.Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

Дополнительная информация

2009. Зачет.

Похожие материалы

«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Подготовка к работе 2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ. 2.1.3. Статические характеристики. 2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Отчет по лабораторной работе No3 Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Ход выполнения работы Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.1. Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряже
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User RomIN : 1 июля 2010
50 руб.
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Вариант №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому вкл
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). . Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 14 сентября 2016
173 руб.
Вариант №4. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов" 2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User MK : 24 мая 2016
70 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Антон28 : 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Уважаемый студент, дистанционного обучения, Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники Вид работы: Лабораторная работа 3 Оценка:Зачет Дата оценки: 10.02.2018 Рецензия:Уважаемый замечаний нет.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Shamanss : 11 февраля 2018
200 руб.
Лабораторная работа №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ 1. Цель работы Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). 2. Отчет о работе 2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого тр
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User lebed-e-va : 30 марта 2015
80 руб.

Другие работы

Контрольная работа по дисциплине: «Дискретная математика». Вариант №7
ЗАДАЧА No1. Задано универсальное множество U и множества A, B, C, D. Найти результаты действий a) - д) и каждое действие проиллюстрировать с помощью диаграммы Эйлера-Венна. U = {10, 11, 12, 13, 14} A = {10, 11, 12} B = {12, 13, 14} C = {10, 14} D = {12} а) A∩C ̅; б) (B∪A)/C ̅; в) (B∪D) ̅; г) (A ̅∩C ̅ ) ̅; д) ((U/(B∩C)))/D. ЗАДАЧА No2. Ввести необходимые элементарные высказывания и записать логической формулой следующее предложение. 7. “Если А знаком с Б, и Б знаком с В, то либо А
СибГУТИ Работа Контрольная Дискретная математика
User stepanewsd : 21 декабря 2015
250 руб.
Экологическая безопасность – сфера информационной асимметрии
Природопользование и охрана природы в настоящее время уже оформились в общемировую транснациональную сферу политэкономической деятельности. Достаточно сказать, что всемирный рынок экологических технологий в 1995 г. оценивался величиной порядка 200 млрд. долларов; в 2000 г. – 350 млрд. долларов; в 2005 г. предполагается увеличение его стоимости уже до 500 млрд. долларов; в 2010 г. – 650 млрд. долларов; 2015 г. – 800 млрд. долларов. Общая стоимость «товаров и услуг», которые ежегодно могут давать
Безопасность жизнедеятельности (БЖД) Работа
User elementpio : 22 октября 2012
5 руб.
Зачетная работа по дисциплине: Беспроводные технологии передачи данных. Билет №4
Билет №4 Раскрыть теоретический вопрос Алгоритм «четырех рукопожатий» в стандарте 802.11i.
Беспроводные технологии передачи данных ДО СИБГУТИ Работа Зачетная
User Учеба "Под ключ" : 25 августа 2022
200 руб.
promo
Контрольная работа Вариант 02 По дисциплине: «Метрология, стандартизация и сертификация»
Задача No 1 Для определения расстояния до места повреждения кабельной линии связи был использован импульсный рефлектометр. С его помощью получено n (результатов единичных измерений) расстояния li до места повреждения. Считая, что случайная составляющая погрешности рефлектометра распределена по нормальному закону, определить: 1. Результат измерения с многократными наблюдениями расстояния до места повреждения кабеля . 2. Оценку среднего квадратического отклонения (СКО) погрешности результата наб
******* Не известно Метрология и стандартизация Работа Контрольная
User marucya : 28 декабря 2014
100 руб.
up Наверх