Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
-
Категории:
СибГУТИ, Работа Лабораторная, Электроника физическая
-
Добавлен:
12.05.2010
-
Размер:
160 KB
-
Покупок:
6
-
Добавил:
sibgutimts
Написать сообщение
Скачать
Состав работы
|
ЛР3.doc
|
Необходимые программы
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики.
2. Подготовка к работе
Изучить следующие вопросы курса:
1.Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
2.Схемы включения ПТ.
3.Статические характеристики.
4.Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ). В работе снимаются передаточные и выходные характеристики.
2. Подготовка к работе
Изучить следующие вопросы курса:
1.Устройство, назначение, принцип действия ПТ разных структур.
2.Схемы включения ПТ.
3.Статические характеристики.
4.Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Дополнительная информация
2009. Зачет.
Похожие материалы
«Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Подготовка к работе
2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур. 2.1.2. Схемы включения ПТ.
2.1.3. Статические характеристики.
2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.
Илья272
: 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
RomIN
: 1 июля 2010
Отчет по лабораторной работе No3
Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Ход выполнения работы
Работа выполнялась в лаборатории электронных средств обучения СибГУТИ при помощи удаленного доступа
Схема для снятия статической передаточной вольтамперной характеристики полевого транзистора приведена на рис.1.
Устанавливаем постоянное напряжение UСИ=10В. Плавно изменяя напряже
RomIN
: 1 июля 2010
50 руб.
Вариант №3. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
MK
: 3 октября 2016
Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому вкл
MK
: 3 октября 2016
152 руб.
Вариант №4 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
MK
: 14 сентября 2016
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому включению ПТ с
MK
: 14 сентября 2016
173 руб.
Вариант №4. Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов
MK
: 24 мая 2016
Отчет по работе №3
"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
2. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого транзистора. Полярность источников питания и приборов соответствует типовому
MK
: 24 мая 2016
70 руб.
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Антон28
: 8 августа 2025
Физические основы электроники " Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Антон28
: 8 августа 2025
1500 руб.
Лабораторная работа №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
Shamanss
: 11 февраля 2018
Уважаемый студент, дистанционного обучения,
Оценена Ваша работа по предмету: Физические основы электроники
Вид работы: Лабораторная работа 3
Оценка:Зачет
Дата оценки: 10.02.2018
Рецензия:Уважаемый
замечаний нет.
Shamanss
: 11 февраля 2018
200 руб.
Отчет по работе №3 "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"
lebed-e-va
: 30 марта 2015
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
1. Цель работы
Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).
2. Отчет о работе
2.1. Снять передаточную характеристику IC = F(U3И) (график 2.1). Результаты измерений занести в таблицу 2.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА) На рис. 2.1 приведена схема для снятия статических передаточных характеристик полевого тр
lebed-e-va
: 30 марта 2015
80 руб.
Другие работы
Страхование. СибГУТИ. Экзамен. Вариант №10.
Sevial
: 10 ноября 2015
Задание 1
Поставщик заключил договор страхования предпринимательского риска со страховой компанией. В период действия договора страхования в результате несогласованных действий поставщика (страхователя) договор реализации товаров был нарушен покупателем. Страхователь понес убытки в размере страховой суммы договора. Он обратился в страховую компанию с заявлением об имевшем место страховом событии, но получил отказ в удовлетворении своих претензий по страховой выплате. Правом
Sevial
: 10 ноября 2015
120 руб.
Контрольная работа и Лабораторные работы №№(1,2,3) по дисциплине: Теория информации. Вариант №07
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
Контрольная работа по теории информации
1. Вычислить энтропию Шеннона для символов ФИО.
2. Построить код Хаффмана для набора букв ФИО. Для оценки вероятностей символов использовать частоты вхождения букв в ФИО. Подсчитать среднюю длину кодового слова построенного кода.
3. Построить код Фано для набора букв ФИО. Подсчитать среднюю длину кодового слова построенного кода.
4. Построить код Шеннона для набора букв ФИО. Подсчитать среднюю длину кодового слова построенного кода.
5. Построить код Ги
IT-STUDHELP
: 1 декабря 2021
850 руб.
ДО СИБГУТИ Лабораторная работа №1 Программирование и обработка графического интерфейса (часть 1) «Компоненты и события» Вариант №06
loututu
: 4 августа 2025
Лабораторная работа No1
Компоненты и события
Цель:
Целью данной работы является получение базовых навыков использования компонентов и описания
событий на языке высокого уровня C# в среде программирования Microsoft Visual Studio
Задание: необходимо разработать и реализовать 5 приложений WPF, описание которых приведено
ниже.
1) Разработайте и реализуйте приложение WPF, которое:
- содержит 2 тестовых поля подписанных как «А» и «Б»
- четыре кнопки подписанных как «+», «-», «*» и «/»
- поле для вывод
loututu
: 4 августа 2025
580 руб.
Выполнение ввода и вывода информации с носителей. Работа с клавиатурой
evelin
: 6 октября 2013
Введение
1. Устройства ввода/вывода
1.1 Основные типы устройств ввода/вывода
1.2 Манипуляторы
1.3 Сканер
1.4 Голосовой ввод - микрофоны, диктофоны
2. Основные устройства вывода информации
2.1 Печатающие устройства персонального компьютера
2.2 Видеокамера
2.3 Вебкамера
2.4 Плата видеозахвата
3. Клавиатура - наиболее универсальное устройство ввода информации
3.1 Основные части клавиатуры и работа с ней
3.2 Клавиши пишущей машинки (алфавитно-цифровая клавиатура)
3.3 Служебные клавиши
evelin
: 6 октября 2013
15 руб.
