Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод
Состав работы
|
|
|
|
Необходимые программы
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Содержание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы
Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы
Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.
Похожие материалы
Полупроводниковые диоды
elementpio
: 30 сентября 2013
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов.
Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни
5 руб.
Исследование полупроводникового диода
Qiwir
: 9 августа 2013
Цель работы
Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики.
Ход работы:
1. Подключить шнур питания к сети.
2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации.
3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1.
Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1.
4. Тумблер В - 1 поставить в поло
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Юлия118
: 23 октября 2020
Тема: Исследование полупроводниковых устройств
Цель:
1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона
2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов.
2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
300 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
s0nnk
: 10 мая 2024
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
blur
: 31 августа 2023
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
Илья272
: 21 мая 2021
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
beke
: 7 ноября 2015
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
1.Прямое включение.
Рис.1 Схема прямого включения
1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр)
Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б
Таблица 1.1а – диод Д7Ж
Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472
Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
ramzes14
: 6 ноября 2012
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Отчет по работе
2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении.
На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
70 руб.
Другие работы
Социальные конфликты и чрезвычайные ситуации правовой порядок и практика их урегулирования
Qiwir
: 16 марта 2014
Введение………………………………………………………………………...…3
1.Характеристика социального конфликта…………………………….…..........4
1.1.Социальные конфликты в современном обществе....……………….……..6
2.Социальные чрезвычайные ситуации: причины, виды………...……….........7
2.1.Урегулирование общественными чрезвычайными ситуациями ……….…8
3.Заключение………………………………………………………………....…..11
Литература…………………....……………………………........…………....….12
Введение
Социальная неоднородность общества, различия уровней дохода, власти, престижа, нередко п
10 руб.
Теплотехника КемТИПП 2014 Задача Б-4 Вариант 56
Z24
: 12 февраля 2026
Изолированный горизонтальный трубопровод проложен на открытом воздухе, температура которого tж. Температура наружной поверхности изоляции равна tст, наружный диаметр изоляции равен d.
Определить коэффициент теплоотдачи и тепловые потери с 1 м длины трубопровода. Во сколько раз возрастут тепловые потери, если трубопровод будет обдуваться поперечным потоком воздуха со скоростью ω?
200 руб.
Контрольная работа. Цифровая обработка сигналов. ЦОС (МОЦОС). Вариант №17. СибГути. Заочно ускоренное обучение
TheMrAlexey
: 19 декабря 2015
Задача 1
Непрерывное сообщение передается от источника к получателю
по дискретному каналу связи.
Требуется:
1. Изобразить обобщенную структурную схему системы связи для передачи непрерывных сообщений дискретными сигналами, привести подробное описание назначения входящих в нее блоков. Преобразование сообщения и сигналов в системе связи проиллюстрировать (качественно) приведением временных и спектральных диаграмм для следующих точек тракта:
+ на выходе источника непрерывного сообщения (сигнала);
50 руб.
Контрольная работа по дисциплине Сетевые Базы Данных. Вариант №09
teacher-sib
: 10 июня 2019
Создать две таблицы, имеющие уникальные поля и первичные ключи. Таблицы должны быть связаны с помощью внешнего ключа.
Для одной из таблиц разработать триггер для обеспечения дополнительных действий при изменение данных таблицы (см. свой вариант задания).
Создать представление для связанных таблиц, которое позволяет вывести только часть полей и часть строк таблиц.
Создать пакет PL/SQL, содержащий процедуру начального заполнения таблиц данными (по 5-7 записей в таблице) и процедуру очистки табл
200 руб.