Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

Цена:
5 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 643B723D-0E2A-4A80-A5CA-A43780AAD06D.zip [515 KB]
material.view.file_icon bestref-168639.doc [713 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы

Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.

Похожие материалы

Полупроводниковые диоды
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни
Радиоэлектроника Рефераты
User elementpio : 30 сентября 2013
5 руб.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
Электроника Работа
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
СибГУТИ Электропривод Работа Лабораторная
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.

Другие работы

Резервы и пути повышения рентабельности предприятия
В условиях рыночной экономики целью любого коммерческого предприятия является получение прибыли. Прибыль является одним из финансовых результатов деятельности предприятия и свидетельствует о его успешности, прибыль получается в случае, если доходы превышают расходы. В обратном случае предприятие получает убыток. Рост прибыли определяет рост потенциальных возможностей предприятия, повышает степень его деловой активности. По прибыли определяется доля доходов учредителей и собственников, размеры д
Работа Экономика
User Elfa254 : 23 ноября 2013
10 руб.
Условия наступления уголовной ответственности за неправомерное удовлетворение имущественных требований
Дисциплина: Экономические преступления Реферат Тема: Условия наступления уголовной ответственности за неправомерное удовлетворение имущественных требований отдельных кредиторов руководителем или собственником организации должника или индивидуальным предпринимателем и принятие имущественного удовлетворения кредитором Содержание Введение 1 Условия наступления уголовной ответственности за неправомерное удовлетворение имущественных требований отдельных кредиторов 2 Некоторые проблемы привлечения к
Юриспруденция Рефераты СИБИТ
User IVANOVA : 17 февраля 2020
100 руб.
Условия наступления уголовной ответственности за неправомерное удовлетворение имущественных требований
Россия и современные геополитические процессы
Геополитические процессы, происходящие на 1/6 части территории планеты Земля, со всей остротой поставили вопрос о месте России в новом мировом порядке. На этот вопрос по-разному отвечают на Западе и на Востоке. Все западные политологи обращают внимание на постоянную нестабильность, характеризующую взаимоотношения России и Европы, России и Запада. И объясняют они эту нестабильность четырьмя структурными геополитическими тенденциями. Во-первых, по размерам территории, численности населения и приро
Политология Работа
User Qiwir : 19 января 2014
5 руб.
Проектування та розрахунок коробки відбору потужності автогудорнатора ДС - 142Б
Зміст Введення 1.Конструкторская частина 1.1. Аналіз конструкції та обгрунтування вибору конструктивної схеми коробки відбору потужності. 1.2. Тяговий розрахунок автомобіля 1.3. Кінематичний розрахунок приводу коробки відбору потужності 1.4.Расчет коробки відбору потужності висновок Список використаної літератури ДОДАТКИ Висновок У конструкцію і технологію виготовлення коробки відбору потужності були внесені зміни, що вплинули на її якості і процес виготовлення. Зокрема, зварний корпус був з
Диплом и связанное с ним Автомобильный транспорт
User Рики-Тики-Та : 28 января 2019
500 руб.
up Наверх