Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-168639.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы

Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.
Полупроводниковые диоды
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни
User elementpio : 30 сентября 2013
5 руб.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
ВКР Проектирование беспроводной локальной сети на базе технологии Wi-Fi в офисном помещении ПАО «Мегафон»
ВКР Проектирование беспроводной локальной сети на базе технологии Wi-Fi в офисном помещении ПАО «Мегафон». Полностью готовый диплом 54 страниц с презентацией и докладом. С заданием на ВКР, отзывом преподавателя и аннотацией. Сдача 2024 на оценку "хорошо". Можно взять за основу, либо немного изменить существующий.
User СибГУТИ 2026 : 25 октября 2025
4999 руб.
Гидравлика и гидравлические машины 2009 ДВГУПС Задача 1.2.1 Вариант 7
При гидравлическом испытании трубопровода, имеющего диаметр d и длину l, избыточное давление воды в трубе поднято до p1. Коэффициент объемного сжатия воды βW=0,0005 1/МПа. Деформацию стенок трубопровода не учитывать. Требуется определить объем воды в трубе при атмосферном давлении и объем воды, которая была добавлена, чтобы повысить давление в трубопроводе до р1.
User Z24 : 25 октября 2025
150 руб.
Гидравлика и гидравлические машины 2009 ДВГУПС Задача 1.2.1 Вариант 7
Контрольная работа по дисциплине "Безопасность жизнедеятельности
45. Безопасность при проведении паечных работ. 65. Чрезвычайные ситуации техногенного характера, их характеристики. Задача No 5 (6) На товарной сортировочной станции при переводе на запасной путь железнодорожного состава произошло столкновение автомобиля с цистерной, содержащей Q = 70 тонн изобутана. В результате соударения в цистерне образовалась дыра, а спустя 8-10 минут произошли возгорание вещества и взрыв образовавшегося парового облака. Необходимо определить избыточное давление ударной во
User СибирскийГУТИ : 6 марта 2014
70 руб.
Оцінка економічної ефективності підприємств ВАТ "Укр", ЗАТ "Машина" і ЗАТ "Черкасимаш".
Зміст 1. Визначити ефективну номенклатуру продукції, застосовуючи відомий підхід Я.Кваші 2.Застосувати традиційну методику оцінки економічної ефективності для дослідження 3. Зробити прогноз розвитку підприємств на перспективу 4. Власні заходи, щодо покращення діяльності підприємств, а саме використати фінансові інструменти санації Висновок Література 1. Визначаємо ефективну номенклатуру продукції, застосовуючи відомий підхід Я.Кваші Розрахунок індексу використання ресурсів здійснити за фо
User alfFRED : 14 ноября 2013
10 руб.
up Наверх