Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

Состав работы

643B723D-0E2A-4A80-A5CA-A43780AAD06D.zip [ 515 KB ]

bestref-168639.doc [ 713 KB ]

Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:

Microsoft Word

Что делать, если файл не открывается

Описание

Содержание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы

Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.

Полупроводниковые диоды

На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни

Радиоэлектроника Рефераты

elementpio : 30 сентября 2013

5 руб.

Исследование полупроводникового диода

Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло

Электроника Работа

Qiwir : 9 августа 2013

5 руб.

Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов

Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона

СибГУТИ Электропривод Работа Лабораторная

Юлия118 : 23 октября 2020

300 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник

ДО СИБГУТИ Физика Практические занятия и отчеты

s0nnk : 10 мая 2024

100 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

ДО СИБГУТИ Электроника Работа Лабораторная

blur : 31 августа 2023

50 руб.

«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»

1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых

Электротехника, электроника и схемотехника СибГУТИ Работа Лабораторная

Илья272 : 21 мая 2021

350 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5

******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники

beke : 7 ноября 2015

185 руб.

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов

Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов

СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая

ramzes14 : 6 ноября 2012

70 руб.

Термодинамика и теплопередача ТюмГНГУ Техническая термодинамика Задача 2 Вариант 34

Для теоретического цикла ГТУ с подводом теплоты при постоянном давлении определить параметры рабочего тела (воздуха) в характерных точках цикла, подведенную и отведенную теплоту, работу и термический к.п.д. цикла, если начальное давление р1=0,1 МПа, начальная температура t1=27 ºC, степень повышения давления в компрессоре π, температура газа перед турбиной t3. Определить теоретическую мощность ГТУ при заданном расходе воздуха G. Дать схему и цикл установки в pυ- и Ts — диаграммах. Данные для реш

Задачи Теплотехника

Z24 : 10 января 2026

200 руб.

Контрольная работа по дисциплине: Организация и планирование производства

Задача Комплекс работ по строительству линейных сооружений ГТС разбит на три участка, на каждом из которых выполняется четыре вида однородных работ. По каждой работе предусмотрена специализированная бригада (например, по строительству телефонной канализации, прокладке кабеля, монтажу кабеля и испытанию кабеля). Время работы специализированных бригад на каждом участке (tij.) приведено в таблице 1. Возможные варианты выхода бригад на участки приведены в таблице 2 Необходимо: 1. Произвести технол

СибГУТИ Организация и планирование производства Работа Контрольная

xtrail : 2 апреля 2013

320 руб.

Развитие транспортной инфраструктуры города Нижнего Новгорода на основе цифровых технологий

Содержание Введение 3 1 Исследовательская часть 6 2 Технологическая часть 40 3.Организационная часть 55 Заключение 66 Список использованной литературы 68 Тема развития транспортной инфраструктуры города Нижнего Новгорода транспортного обслуживания выбрана не случайно. Единая транспортная инфраструктура, в том числе отраслями

Диплом и связанное с ним Логистика

PassAvto : 6 ноября 2023

1000 руб.