Расчет измерительных преобразователей. Полупроводниковый диод

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon bestref-168639.doc
Работа представляет собой zip архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Содержание
Введение
1. Назначение и область применения
2. Классификация и условные обозначения полупроводниковых диодов
3. Общий принцип действия
4. Конструкция полупроводниковых диодов
5. Вольтамперная характеристика и основные параметры полупроводниковых диодов
6. Выпрямительные диоды
7. Стабилитроны, варикапы, светодиоды и фотодиоды
8. Импульсные, высокочастотные (ВЧ) и сверхвысокочастотные (СВЧ) диоды
9. Диод Есаки (туннельный диод) и его модификации
10. Эффекты полупроводника
11. Переход Шоттки
12. Изготовление
13. Достоинства и недостатки
14. Перспективы развития
Заключение
Список литературы

Введение
Диодами называют двухэлектродные элементы электрической цепи, обладающие односторонней проводимостью тока. В полупроводниковых диодах односторонняя проводимость обуславливается применением полупроводниковой структуры, сочетающей в себе два слоя, один из которых обладает дырочной (p), а другой – электронной (n) электропроводностью.
Полупроводниковый диод представляет собой прибор с двумя выводами и одним электронно-дырочным переходом.
Полупроводниковые диоды
На основе использования свойств р-n-перехода в настоящее время создано множество различных типов полупроводниковых диодов. Выпрямительные диоды предназначены для преобразования переменного тока в постоянный. Их основные параметры: Iпр max -максимальный прямой ток; Vпр - падение напряжения на диоде при прямом смещении и заданном токе; Iобр -ток через диод при обратном смещении и заданном напряжении; Vобр max - максимальное обратное напряжение; f-диапазон частот, в котором выпрямленный ток не сни
User elementpio : 30 сентября 2013
5 руб.
Исследование полупроводникового диода
Цель работы Изучение свойств плоскостного диода путём практического снятия и исследования его вольтамперной характеристики. Ход работы: 1. Подключить шнур питания к сети. 2. Тумблером "СЕТЬ" включить стенд - при этом загорается лампочка сигнализации. 3. Тумблер В - 1 поставить в положение 1. Снять вольтамперную характеристику при изменении напряжения источника потенциометром R при прямом положении, приложенном к диоду. Результаты измерений занести в таблицу № 1. 4. Тумблер В - 1 поставить в поло
User Qiwir : 9 августа 2013
5 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Тема: Исследование полупроводниковых устройств Цель: 1. Изучить характерные свойства электро-дырочного перехода, определяющие характеристики выпрямительного диода и стабилитрона 2. Приобрести навыки работы с измерительными приборами, а так же по обработке и оформлению полученных результатов. 2.2 Исследование прямой ветви ВАХ стабилитрона
User Юлия118 : 23 октября 2020
300 руб.
Исследование полупроводниковых диодов и стабилитронов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User s0nnk : 10 мая 2024
100 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User blur : 31 августа 2023
50 руб.
«Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов»
1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User Илья272 : 21 мая 2021
350 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 1.Прямое включение. Рис.1 Схема прямого включения 1.1 . Снятие вольтамперных характеристик германиевого и кремниевого диодов Iпр=f(Uпр) Результаты приведены в таблицах 1.1а и 1.1б Таблица 1.1а – диод Д7Ж Uпр, В 0 0,295 0,345 0,381 0,406 0,427 0,447 0,462 0,472 Iпр, мА 0 1 2 3 4 5
User beke : 7 ноября 2015
185 руб.
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Отчет по работе 2.1 Снятия вольтамперных характеристик диодов Д7Ж и Д220 при прямом включении. На графике 1 приведена вольтамперная характеристика диодов при прямом включении. На схеме 1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов
User ramzes14 : 6 ноября 2012
70 руб.
Тест по жилищному праву
1. К чьей компетенции относится ведение в установленном порядке учета граждан, нуждающихся в жилых помещениях, предоставляемых по договорам социального найма? a. в компетенции органов государственной власти РФ b. в компетенции органов местного самоуправления c. в компетенции органов государственной власти субъектов РФ 2. Что понимается под государственным жилищным фондом? a. совокупность жилых помещений, находящихся в собственности граждан и в собственности юридических лиц b. совокупность жилых
User qwerty123432 : 18 января 2022
99 руб.
Тест по жилищному праву
Лабораторная работа № 1 ОБРАБОТКА ТЕКСТОВЫХ ФАЙЛОВ. Информатика часть 2. вариант 2 2019 г
Лабораторная работа № 1 ОБРАБОТКА ТЕКСТОВЫХ ФАЙЛОВ Задание к лабораторной работе: Создать текстовый файл с произвольным числом строк. Переписать в новый файл все символы исходного, удалив все символы пробела. Вывести преобразованный текст и количество удаленных пробелов
User kombatowoz : 21 января 2019
200 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Стандарты и технологии в системах мобильной связи. Вариант 12
"Построение сети беспроводного доступа" Задание Требуется выполнить проектирование сети беспроводного доступа в торговом центре (сеть общего доступа в Интернет); Необходимо обеспечить покрытие на этаже проектируемого здания (планировка которого представлена на рисунке 1, и материал стен бетон и гипсокартон) с обеспечением одновременного доступа к сети 20 пользователей.
User xtrail : 22 июля 2024
800 руб.
Контрольная работа по дисциплине: Стандарты и технологии в системах мобильной связи. Вариант 12 promo
Экономика общественного сектора и некоммерческих организаций (ЭС 93)
Вопрос 1 Охарактеризуйте по вариантам на произвольно выбранном реальном примере экономические, организационные и социальные аспекты деятельности организации: ---благотворительные организации --- негосударственная некоммерческая организация в сфере культуры Вопрос 2. Верно ли утверждение: «Бюрократическое управление частным предприятием неэффективно, поскольку противоречит принципу максимизации прибыли?» Ответ аргументируйте. Вопрос 3. Угодья фермера расположены вблизи железной дороги. Проезж
User тантал : 23 июля 2013
100 руб.
up Наверх