Физические основы электроники. Вариант 04. Лабораторная работа 1,2,3.

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon
material.view.file_icon ЛР1.doc
material.view.file_icon ЛР2.doc
material.view.file_icon ЛР3.doc
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторные работы выполняются на реальном оборудовании, установленном в лаборатории с удаленным доступом СибГУТИ. Это оборудование может быть доступно Вам по сети Internet. С помощью программы, установленной на Вашем компьютере, Вы сможете регулировать реальные источники сигналов органами управления и получать результаты измерения реальных полупроводниковых приборов в виде графиков. Эти работы позволят Вам более глубоко понять физические процессы, протекающие в приборах. Графики характеристик исследуемых приборов не нужно строить по точкам, их можно копировать с экрана компьютера непосредственно в отчет. Для выполнения работ в лаборатории с удаленным доступом необходимо на Вашем компьютере установить свободно распространяемую программу LabView Run-Time и запустить клиентскую программу El_clienr.exe

Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Лабораторная работа №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".

Дополнительная информация

Год сдачи 2019.
Рецензия:Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.
Россия в первой Мировой войне
Ответ на экзаменационный вопрос. Кратко изложены ключевые моменты первой Мировой войны и положение России.
User Администратор : 12 марта 2009
Защищённые системы и сети связи
В архиве все работы с 1 по 7 семестр, 3 вариант, кроме учебной, производственной и преддипломной практики. Плюс графики, таблицы и куча плюшек.
User Philosoph : 14 июля 2022
12000 руб.
Физика. Контрольная работа №4
Задача No707 Над серединой чертежной доски, образующей с горизонтальной плоскостью угол в 30°, на высоте 2 м висит лампа с силой света 200 кд. Определить освещенность, яркость и светимость листа бумаги на доске, если коэффициент отражения бумаги 60%. Лампы считать точечными источниками света. Задача No717 Как и во сколько раз изменится поток излучения абсолютно черного тела, если максимум испускательной способности переместится с
User Ekaterinka : 16 января 2017
50 руб.
Дипломная работа гостинично-торговый комплекс
Проектируемый объект – гостинично-торговый комплекс. Высота комплекса – 5 этажей. Многоэтажная часть представляет собой гостиницу на 96 мест. Одноэтажная – учреждения торговли и служебно-бытовые помещения гостиницы. Район строительства - г. Москва. Содержание: 1. Архитектурно-планировочная часть 1.1 Общие положения 1.2 Генеральный план 1.3 Объемно-планировочное решение 1.4 Конструктивное решение 1.5 Теплотехнический расчет ограждающих конструкций 1.6 Технология процессов 1.7 Технико-экономически
User Dozent : 7 апреля 2009
up Наверх