Физические основы электроники. Вариант 04. Лабораторная работа 1,2,3.
Состав работы
|
|
|
|
|
|
|
|
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
- Microsoft Word
Описание
Лабораторные работы выполняются на реальном оборудовании, установленном в лаборатории с удаленным доступом СибГУТИ. Это оборудование может быть доступно Вам по сети Internet. С помощью программы, установленной на Вашем компьютере, Вы сможете регулировать реальные источники сигналов органами управления и получать результаты измерения реальных полупроводниковых приборов в виде графиков. Эти работы позволят Вам более глубоко понять физические процессы, протекающие в приборах. Графики характеристик исследуемых приборов не нужно строить по точкам, их можно копировать с экрана компьютера непосредственно в отчет. Для выполнения работ в лаборатории с удаленным доступом необходимо на Вашем компьютере установить свободно распространяемую программу LabView Run-Time и запустить клиентскую программу El_clienr.exe
Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Лабораторная работа №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Лабораторная работа №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".
Дополнительная информация
Год сдачи 2019.
Рецензия:Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Рецензия:Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович
Похожие материалы
Физические основы электроники Лабораторная работа №1
sprut89
: 16 сентября 2019
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
3 . Схемы исследования
На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении.
При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения.
Для исследован
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ANNA
: 18 февраля 2019
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
1. Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Mercuryman
: 8 июля 2017
1 . Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
75 руб.
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
alru
: 26 января 2017
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы:
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
merzavec
: 8 декабря 2014
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
donkirik
: 19 июня 2014
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
2. Подготовка к работе
2.1 Изучить следующие вопросы курса:
2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники.
2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода.
2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
parovozz
: 23 декабря 2013
Отчет по работе №1
"Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов"
Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
maromash
: 30 марта 2013
Лабораторная работа № 1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов
Цель работы
Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
350 руб.
Другие работы
Россия в первой Мировой войне
Администратор
: 12 марта 2009
Ответ на экзаменационный вопрос. Кратко изложены ключевые моменты первой Мировой войны и положение России.
Защищённые системы и сети связи
Philosoph
: 14 июля 2022
В архиве все работы с 1 по 7 семестр, 3 вариант, кроме учебной, производственной и преддипломной практики. Плюс графики, таблицы и куча плюшек.
12000 руб.
Физика. Контрольная работа №4
Ekaterinka
: 16 января 2017
Задача No707
Над серединой чертежной доски, образующей с горизонтальной плоскостью угол в 30°, на высоте 2 м висит лампа с силой света 200 кд. Определить освещенность, яркость и светимость листа бумаги на доске, если коэффициент отражения бумаги 60%. Лампы считать точечными источниками света.
Задача No717
Как и во сколько раз изменится поток излучения абсолютно черного тела, если максимум испускательной способности переместится с
50 руб.
Дипломная работа гостинично-торговый комплекс
Dozent
: 7 апреля 2009
Проектируемый объект – гостинично-торговый комплекс. Высота комплекса – 5 этажей. Многоэтажная часть представляет собой гостиницу на 96 мест. Одноэтажная – учреждения торговли и служебно-бытовые помещения гостиницы. Район строительства - г. Москва.
Содержание:
1. Архитектурно-планировочная часть
1.1 Общие положения
1.2 Генеральный план
1.3 Объемно-планировочное решение
1.4 Конструктивное решение
1.5 Теплотехнический расчет ограждающих конструкций
1.6 Технология процессов
1.7 Технико-экономически