Физические основы электроники. Вариант 04. Лабораторная работа 1,2,3.

Цена:
300 руб.

Состав работы

material.view.file_icon 95B3CFEA-0A7F-4E84-8186-78A564967477.rar [902 KB]
material.view.file_icon ЛР1.doc [Office 2010, 744 KB]
material.view.file_icon ЛР2.doc [Office 2010, 622 KB]
material.view.file_icon ЛР3.doc [Office 2010, 374 KB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • Microsoft Word

Описание

Лабораторные работы выполняются на реальном оборудовании, установленном в лаборатории с удаленным доступом СибГУТИ. Это оборудование может быть доступно Вам по сети Internet. С помощью программы, установленной на Вашем компьютере, Вы сможете регулировать реальные источники сигналов органами управления и получать результаты измерения реальных полупроводниковых приборов в виде графиков. Эти работы позволят Вам более глубоко понять физические процессы, протекающие в приборах. Графики характеристик исследуемых приборов не нужно строить по точкам, их можно копировать с экрана компьютера непосредственно в отчет. Для выполнения работ в лаборатории с удаленным доступом необходимо на Вашем компьютере установить свободно распространяемую программу LabView Run-Time и запустить клиентскую программу El_clienr.exe

Лабораторная работа №1: "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов".
Лабораторная работа №2: "Исследование статических характеристик биполярного транзистора".
Лабораторная работа №3: "Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов".

Дополнительная информация

Год сдачи 2019.
Рецензия:Ваша работа зачтена.
Савиных Валерий Леонидович

Похожие материалы

Физические основы электроники Лабораторная работа №1
Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов 1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 3 . Схемы исследования На рисунке 1.1 приведена схема для снятия вольтамперных характеристик диодов в прямом направлении. При измерении обратного тока (рисунок 1.2) изменяется полярность подводимого напряжения. Для исследован
ДО СИБГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User sprut89 : 16 сентября 2019
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" 1. Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
******* Не известно Работа Лабораторная Физические основы электроники
User ANNA : 18 февраля 2019
65 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
1 . Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводник
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User Mercuryman : 8 июля 2017
75 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Физические основы электроники, Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Физические основы электроники
User alru : 26 января 2017
100 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User merzavec : 8 декабря 2014
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа №1
Лабораторная работа №1. Физические основы электроники
Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов. 2. Подготовка к работе 2.1 Изучить следующие вопросы курса: 2.1.1 Электрические свойства полупроводников. Собственные и примесные полупроводники. 2.1.2 Электронно-дырочный переход, его характеристики и параметры. Прямое и обратное включение p-n перехода. 2.1.3 Вольтамперные характеристики и параметры полупроводниковых
СибГУТИ Работа Лабораторная Электроника физическая
User donkirik : 19 июня 2014
150 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1
Отчет по работе №1 "Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов" Цель работы: Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника Работа Лабораторная
User parovozz : 23 декабря 2013
50 руб.
Физические основы электроники. Лабораторная работа № 1.
Лабораторная работа № 1 Исследование статических характеристик полупроводниковых диодов Цель работы Изучить устройство полупроводникового диода, физические процессы, происходящие в нем, характеристики, параметры, а также типы и применение полупроводниковых диодов.
СибГУТИ Электроника
User maromash : 30 марта 2013
350 руб.

Другие работы

Зачетная работа по дисциплине: Основы информационной безопасности в телекоммуникациях. Билет 18
1. Информационное оружие и его классификация. 2. Стратегии защиты информации. 3. Какие из рассмотренных типов средств защиты, на Ваш взгляд, являются наиболее эффективными? Приведите примеры возможных способов защиты, реализуемые в живой природе в соответствии с классификацией Расторгуева С.П.
Основы информационной безопасности в телекоммуникациях СибГУТИ Работа Зачетная
User Grusha : 14 февраля 2017
150 руб.
Экономике недвижимости
ЭКЗАМЕНАЦИОННАЯ РАБОТА по Экономике недвижимости Билет № 6 по дисциплине «Экономика недвижимости» ТЕСТОВОЕ ЗАДАНИЕ: 1. Что не относится к недвижимости? 1 здания; 2 оборудование; 3 сооружения; 4 местные многолетние насаждения; 5 водный фонд. Ответ: 1-2 2. Какая стоимость рассчитывается при оценке предприятия, которое после купли-продажи будет распродано по частям? 1 потребительская; 2 восстановительная; 3 остаточная; 4 ликвидационная; 5 инвестиционная. Ответ:2-4 3. Принцип, который
Экономика недвижимости ДО СИБГУТИ Работа Экзаменационная
User mahaha : 8 марта 2017
45 руб.
Линейная алгебра 1-й вариант
Задача 1. Дана система трех линейных уравнений. Найти решение ее двумя способами: методом Крамера и методом Гаусса. Задача 2. Даны координаты вершин пирамиды А1А2А3А4. Найти: 1. длину ребра А1А2; 2. угол между ребрами А1А2 и А1А4; 3. площадь грани А1А2А3; 4. уравнение плоскости А1А2А3. 5. объём пирамиды А1А2А3А4. А1 ( 1; -1; 2), А2 ( 1; 3; 0), А3 ( 3; 0; -2), А4 ( 5; -2; 1).
СибГУТИ Алгебра и геометрия Работа Контрольная
User ЮляКрасотуля : 18 июля 2015
100 руб.
Керн комбинированный. Вариант 2
Вариант 2 Керн комбинированный Задание 1. Выполнить 3д модели деталей 2. Выполнить 3д модель сборочной единицы 3. Выполнить ассоциативные чертежи всех деталей. 4. Выполнить сборочный чертеж керн комбинированный 5. Выполнить спецификацию к сборочной единице. Вариант 2. Керн комбинированный Керн (кернер) – инструмент для нанесения точек (керновка) при разметке деталей, подлежащих механической обработке. Ниже показан комбинированный керн, при помощи которого можно одновременно наносить центр
Черчение и компьютерная графика Чертежи УрГУПС
User coolns : 26 апреля 2019
120 руб.
Керн комбинированный. Вариант 2 promo
up Наверх