Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file136.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 5 Вариант 02
Определение технико-экономических показателей теоретического цикла Ренкина Паротурбинная установка работает по теоретическому циклу Ренкина. Давление и температура водяного пара на выходе из парогенератора (перед турбиной): p1 и t1; давление пара после турбины (в конденсаторе) p2. Определить термический коэффициент полезного действия цикла ηt и теоретический удельный расход пара d, кг/(кВт·ч) при следующих условиях работы установки: I — p1, t1 и p2 — (все параметры взять из табл. 6);
Задачи Теплотехника
User Z24 : 13 января 2026
250 руб.
Бруй Л.П. Техническая термодинамика ТОГУ Задача 5 Вариант 02
Оптические средства сопряжения. Курсовая работа. Вариант 63
КОНТРОЛЬНОЕ ЗАДАНИЕ И МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ К КУРСОВОЙ РАБОТЕ Изучите конспект лекций, дополнительную литературу по теме и составьте письменно краткие ответы на вопросы. Решите задачу с данными по своему варианту, который соответствует номеру пароля или студ. билета. Контрольные вопросы к разделу 1 1. Что называют оптическими физическими средствами сопряжения? 2. Устройство и назначение модуля SFP. 3. Конструктивные отличия модулей SFP от XFP, CFP и их характеристик. 4. Указать диапазоны
ДО СИБГУТИ Оптические средства сопряжения Работа Курсовая
User SibGUTI2 : 15 октября 2018
300 руб.
Графическая работа 3 (2-ая часть). Вариант 8 - Контур детали
Возможные программы для открытия данных файлов: WinRAR (для распаковки архива *.zip или *.rar) КОМПАС 3D не ниже 16 версии для открытия файлов *.cdw, *.m3d Любая программа для ПДФ файлов. Миронов Б.Г. Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Графическая работа 3 (2-ая часть). Вариант 8 - Контур детали Вычертить по заданным размерам контур детали. Линии построения лекальной кривой сохранить. В состав выполненной работы входят 2 файла: 1. Чертеж форм
Чертежи Инженерная графика
User Чертежи по сборнику Миронова 1984 : 1 апреля 2023
80 руб.
Графическая работа 3 (2-ая часть). Вариант 8 - Контур детали
Устройство рубашки для колонны
Так как моя профессиональная деятельность связана с проектированием, в своей работе я попыталась отразить не только технологию производства работ по усилению, но и некоторые рекомендации по проектированию усиления железобетонных конструкций заданным мне методом. Еще одним немаловажным аргументом значимости отражения некоторых проектировочных «моментов», на мой взгляд, является и то, что студенты, обучающиеся по специальности «ПГС» должны в совокупности обладать знаниями на всех стадиях реализаци
Строительство промышленное и гражданское Работа Контрольная
User elementpio : 24 сентября 2013
up Наверх