Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file136.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Гидравлика и гидропривод ПГУПС 2016 Задача 1 Вариант 1
На рис.1.1 представлено начальное положение гидравлической системы дистанционного управления (рабочая жидкость между поршнями не сжата). При перемещении ведущего поршня (его диаметр D) вправо жидкость постепенно сжимается и давлений в ней повышается. Когда манометрическое давление рм достигает определенной величины, сила давления на ведомый поршень (его диаметр d) становится больше силы сопротивления F, приложенной к штоку ведомого поршня. С этого момента приходит в движение вправо ведомый порше
Задачи Гидравлика
User Z24 : 5 января 2026
150 руб.
Гидравлика и гидропривод ПГУПС 2016 Задача 1 Вариант 1
Схема тормозного привода автомобиля ЗИЛ-5301 принципиальная
Схема тормозного привода автомобиля ЗИЛ-5301 принципиальная Чертеж А3. Сделан был изначально в компасе, но потом переведен в автокад.
******* Не известно Чертежи Автомобильный транспорт
User Laguz : 5 июля 2017
60 руб.
Схема тормозного привода автомобиля ЗИЛ-5301 принципиальная
Контрольная работа № 2 по дисциплине: «Математический анализ». Вариант: №1
Вычертить область плоскости по данным условиям: Найти все особые точки функции, определить их характер (для полюсов указать порядок) и вычислить вычеты в них. При помощи вычетов вычислить данный интеграл по контуру. Все с чертежами.
Математический анализ СибГУТИ Работа Контрольная
User Игуана : 22 марта 2012
135 руб.
Организация продаж. Контрольная работа №1.
Исходные данные Составить диалоги, между клиентом и сотрудником отдела продаж телекоммуникационной компании моделируя следующую ситуацию: 1. Продажа услуги Интернет в кредит по технологии продаж «Обслуживание» 2. Продажа услуги IP-телефония по технологии продаж «Агрессивные» 3. Продажа услуги видеоконференцсвязь по технологии продаж «Спекулятивные» 4. Продажа услуги кабельное телевидение по технологии продаж «Консультативные»
Менеджмент СибГУТИ Работа Контрольная
User nastia9809 : 11 января 2017
120 руб.
up Наверх