Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file136.rar [2 MB]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [2 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Механика Задача 2.114
Определить значение реакций в опорах (рисунок 2.5, табл. 2.5)
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 20 сентября 2026
200 руб.
Механика Задача 2.114
Лабораторная работа №1 по дисциплине: Информатика (часть 2). Вариант №3
ОБРАБОТКА ТЕКСТОВЫХ ФАЙЛОВ 1. Задание Написать программу на языке Си для обработки текстового файла в соответствии с вариантом задания. Таблица 1 – Исходные данные Вариант №3 Создать текстовый файл с произвольным числом строк. Определить, сколько раз в заданном файле встречается сочетание двух первых его символов. 2. Схема алгоритма 3. Программа на языке C 4. Результаты выполнения программы
ДО СИБГУТИ Информатика Работа Лабораторная
User SibGOODy : 17 мая 2019
250 руб.
promo
Проектирование пользовательского интерфейса. вариант №7
1. Создать базу данных (БД), состоящую из 2-х заданных таблиц. Поля таблиц произвольные, но не менее четырех полей в каждой таблице, включая ключевое поле (поле типа +(Autoincrement)). В таблицу, которая при объединении будет подчиненной, необходимо включить поле, по которому эта таблица будет связана с первичным ключом главной таблицы (в рассматриваемом здесь примере это поле NFcl таблицы grp2). 2. Разработать Приложение для работы с БД, выполняющее те же функции, что и в приведенном ниже прим
ДО СИБГУТИ Проектирование пользовательского интерфейса Работа Контрольная
User страстный : 28 августа 2020
350 руб.
Установка погружного насоса винтового ЭВН 63-1200-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Установка погружного насоса винтового ЭВН 63-1200-(Формат Компас-CDW, Autocad-DWG, Adobe-PDF, Picture-Jpeg)-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
Нефтяная промышленность Чертежи
User leha.nakonechnyy.92@mail.ru : 20 февраля 2018
462 руб.
Установка погружного насоса винтового ЭВН 63-1200-Чертеж-Оборудование для добычи и подготовки нефти и газа-Курсовая работа-Дипломная работа
up Наверх