Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file136.rar [2 MB]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [2 MB]

Необходимые программы

Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Инженерная графика. Графическая работа №2 (1-я часть). Вариант №16. Прокладка
Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16. Миронов Б.Г., Миронова Р.С., Пяткина Д.А., Пузиков А.А. - Сборник заданий по инженерной графике с примерами выполнения чертежей на компьютере. Графическая работа 2 (1-ая часть). Вариант 16. Прокладка. Задание: Перечертить контур детали, проставить размеры. В состав работы входит один файл чертежа, оформленный согласно заданию. Все выполнено в программе КОМПАС 3D v16.
Чертежи Инженерная графика
User Чертежи : 1 декабря 2020
30 руб.
Инженерная графика. Графическая работа №2 (1-я часть). Вариант №16. Прокладка
Физика. Экзамен. Билет №20
Билет № 20 1.Напряжённость магнитного поля в центре кругового витка (с выводом). 2. Принцип относительности Эйнштейна. Постулаты специальной теории относительности. Преобразования Лоренца для координат и времени. 3. Вычислите количество теплоты, выделившееся в проводнике сопротивлением 10 Ом за 10 с, если сила тока в нём, уменьшаясь по линейному закону, изменилась от 10 А до нуля.
СибГУТИ Билеты экзаменационные Физика
User vsh9 : 5 октября 2015
500 руб.
Физика. Экзамен. Билет №20
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 63
Сравнить мощность, затраченную на повышение давления воздуха в одно- и двухступенчатом компрессоре в случае политропного сжатия с показателем политропы n. Объемный расход воздуха при параметрах всасывания — V1, начальные параметры р1=0,1 МПа и t1, а конечное давление — рк. Определить также температуру воздуха на выходе из компрессора и количество теплоты, отводимое от цилиндров и промежуточного теплообменника. Изобразить условно процессы одно- и двухступенчатого сжатия на рυ-, Ts — диаграммах.
Задачи Теплотехника
User Z24 : 23 января 2026
200 руб.
Теплотехника 18.03.01 КубГТУ Задача 1 Вариант 63
Макроэкономика. Экзамен. Вариант №3
1. В качестве целей государственного регулирования экономики можно назвать: рост ВНП, борьбу с инфляцией, сбалансированный платежный баланс, защиту окружающей среды, экономический рост. Подумайте и определите: Может ли государство добиваться достижения всех поставленных целей одновременно? Могут ли быть эти цели несовместимыми? Если да, то какие именно цели несовместимы? Чем объясняется конфликт целей? 2. Опишите свою позицию по отношению к высоким тарифам и квотам на автомобили, произведенные в
СибГУТИ Макроэкономика Работа Экзаменационная
User Yulipaha : 22 ноября 2014
150 руб.
Макроэкономика. Экзамен. Вариант №3
up Наверх