Основы микроэлектроники

Этот материал можно скачать бесплатно

Состав работы

material.view.file_icon file136.rar [ 2 MB ]
material.view.file_icon Д.В. Игумнов, Г.В. Королев, И.С. Громов. Основы микроэлектроники. 1991.djvu [ 2 MB ]
Работа представляет собой rar архив с файлами (распаковать онлайн), которые открываются в программах:
  • WinDjView

Описание

Основы микроэлектроники

Год выпуска 1991
Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов
Жанр учебная литература
Издательство Высшая школа
Формат DjVu
Качество Отсканированные страницы
Количество страниц 257

Похожие материалы

Основы микроэлектроники
Основы микроэлектроники Год выпуска 1991 Автор Д.В.Игумнов,Г.В.Королев,И.С.Громов Жанр учебная литература Издательство Высшая школа Формат DjVu Качество Отсканированные страницы Количество страниц 257 Один из лучших учебников по электронике
Учебник Электроника промышленная ВТУЗ (СПБГПУ)
User Администратор : 19 января 2008
Физические основы микроэлектроники
Для усиления и генерации колебаний СВЧ-диапазона может быть использована аномальная зависимость скорости электронов от напряженности электрического поля в некоторых полупроводниковых соединениях, прежде всего в арсениде галлия. При этом основную роль играют процессы, происходящие в объеме полупроводника, а не в p-n-переходе. Генерацию СВЧ-колебаний в однородных образцах GaAs n-типа при напряженности постоянного электрического поля выше порогового значения впервые наблюдал Дж. Ганн в 1963 г. (поэ
Электроника физическая Работа
User Elfa254 : 10 августа 2013
10 руб.
Экзамен по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Билет №22
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 22 7 23 31 40 55 2.8 Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Ответы: Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Физические основы электроники
User freelancer : 20 апреля 2016
80 руб.
promo
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
КОНТРОЛЬНАЯ РАБОТА No 1 Таблица компоновки билетов Тестовые вопросы Задача Вариант No 24 11 13 33 41 60 2.10 Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во
ДО СИБГУТИ Билеты экзаменационные Микроэлектроника
User freelancer : 22 апреля 2016
70 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22.
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующего влия
ДО СИБГУТИ Физические основы электроники Работа Контрольная
User freelancer : 16 апреля 2016
300 руб.
Контрольная работа №1 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №24
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 4 июля 2013
550 руб.
Контрольная работа № 2 по дисциплине "Физические основы микроэлектроники". Вариант №22
Вопрос No 11 Почему энергетические уровни электронов, расположенных в слое вблизи ядра атома, при образовании кристалла испытывают более слабое расщепление, чем все другие уровни? Ответы: 1) это явление связано с различием спинового (s) и магнитного (m) квантовых чисел для электронов внутренних и внешних слоев; 2) расщепление энергетических уровней электронов, расположенных во внутренних и внешних слоях, имеет одинаковый вид, т.к. уровни принадлежат одному атому; 3) вследствие экранирующ
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.
Контрольная работа № 1 по дисциплине «Физические основы микроэлектроники». Вариант №22
Вопрос No 7 Покажите правильную зависимость потенциальной энергии электрона в отдельном (изолированном) атоме. Вопрос No 23 Сколько электронов каждого атома в кристаллах германия или кремния принимает участие в образовании ковалентных связей с соседними атомами? Ответы: 1) по 4 электрона от каждого атома; 2) по 2 электрона; 3) по 1 электрону от каждого соседнего атома для образования четырех ковалентных связей; 4) электроны не принимают участия в ковалентных связях между атомами. Вопрос N
Электроника физическая Работа Контрольная ТУСУР
User Помощь студентам СибГУТИ ДО : 27 июня 2013
650 руб.

Другие работы

Экзамен по дисциплине: Английский язык
Экзаменационная работа II семестр Задание 1.Выберите правильную форму глагола. 1. No city has cables ___________ directly. a. lay b. are laying c. laid 2. Computers ___________ to perform series of mathematical operations. a. are used b. are using c. have used 3. ___________ power losses, thick wires should be used. a. Reducing b. To reduce c. Having reduced 4. For information ___________, it must be attached to a radio – frequency carrier wave. a. to be transmitted b. will be transmitted c. tra
Английский язык СибГУТИ Работа Экзаменационная
User студент-сибгути : 24 февраля 2013
29 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 9 Вариант 4
Сложное движение точки По заданному уравнению вращения φ = f1(t) тела А и уравнению движения s = ОМ = f1(t) точки М относительно тела А определить абсолютную скорость и абсолютное ускорение точки М в момент времени t = t1. Схема к задаче и исходные данные к ней определяются в соответствии с шифром по рис. К2.0–К2.9 и таблице К2. Точка М показана в направлении положительного отсчета координаты s. Положительное направление отсчета угла φ указано стрелкой.
Задачи Теоретическая механика
User Z24 : 9 ноября 2025
250 руб.
Теоретическая механика СамГУПС Самара 2020 Задача К2 Рисунок 9 Вариант 4
Лабораторные работы №1-№4 по дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Вариант №9. 3-й cеместр.
Лабораторная работа №1 По дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии. Исследование логических схем на элементах «И–НЕ». 1. Цель работы Изучить свойства логических элементов «И–НЕ»; приобретение навыков синтеза логических схем. Лабораторная работа №2 По дисциплине: Вычислительная техника и информационные технологии Исследование комбинационных цифровых устройств.
СибГУТИ Работа Лабораторная Вычислительные машины, системы и сети
User 58197 : 22 сентября 2013
35 руб.
Расчет по деформациям изгибаемых железобетонных элементов
В дипломном проекте рассматриваются вопросы расчета железобетонных изгибаемых элементов по деформациям. В архитектурно-планировочном разделе разработаны: объемно-планировочное решение, конструктивная схема и комплект чертежей на здание гостиницы. Здание четырехэтажное, ресторан размещается в одноэтажной части. Конструктивная схема здания решена с несущим каркасом, сеткой колонн 6,1*4 м и 7,3*4 м. Размеры здания в плане в осях 49,24*45,19 м, высота этажа 3,3 м. В расчетно-конструкторском ра
Диплом и связанное с ним Дипломные проекты
User Рики-Тики-Та : 21 сентября 2012
825 руб.
up Наверх